[發(fā)明專利]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011301297.7
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN114520194A
• 公開（公告）日: 2022-05-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉志拯
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 王歡;劉芳

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有相鄰設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域；

在所述基底的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中均形成多個溝槽，多個所述溝槽沿第一方向間隔排布；

在所述溝槽中形成字線；其中，所述第一區(qū)域的所述字線的特征尺寸不同于所述第二區(qū)域的所述字線的特征尺寸；

在特征尺寸較大的所述字線上形成接觸結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述在所述基底的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中均形成多個溝槽，多個所述溝槽沿第一方向間隔排布的步驟，包括：

在所述基底的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域上均形成溝槽掩膜層，所述溝槽掩膜層具有第一溝槽掩膜圖案和第二溝槽掩膜圖案，所述第一溝槽掩膜圖案和所述第二溝槽掩膜圖案沿第一方向交替間隔排布；

利用所述第一溝槽掩膜圖案和所述第二溝槽掩膜圖案刻蝕所述基底的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域，以在所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域內(nèi)均形成第一溝槽和第二溝槽；

其中，刻蝕所述基底的所述第一區(qū)域的刻蝕速率大于刻蝕所述基底的所述第二區(qū)域的刻蝕速率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一溝槽掩膜圖案相對于所述第二溝槽掩膜圖案具有第一掩膜突出部；

所述第二溝槽掩膜圖案相對于所述第一溝槽掩膜圖案具有第二掩膜突出部；

所述第一掩膜突出部和所述第二掩膜突出部均位于所述第一區(qū)域，且位于所述第二區(qū)域的相對兩側(cè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一溝槽掩膜圖案在所述基底的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的特征尺寸一樣；

所述第二溝槽掩膜圖案在所述基底的所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中的特征尺寸一樣。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述刻蝕速率為所述基底在第一方向的刻蝕速率；

所述第一區(qū)域中的所述第一溝槽的特征尺寸大于所述第二區(qū)域中的所述第一溝槽的特征尺寸；

所述第一區(qū)域中的所述第二溝槽的特征尺寸大于所述第二區(qū)域中的所述第二溝槽的特征尺寸。

6.根據(jù)權(quán)利要求2-5中任一項所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述在所述溝槽中形成字線的步驟，包括：

在所述第一溝槽中形成第一字線；

在所述第二溝槽中形成第二字線；

其中，所述第一字線和所述第二字線沿第一方向交替間隔排布。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在特征尺寸較大的所述字線上形成接觸結(jié)構(gòu)的步驟，包括：

在所述第一區(qū)域的所述第一字線上形成第一接觸結(jié)構(gòu)；

在所述第一區(qū)域的所述第二字線上形成第二接觸結(jié)構(gòu)；

其中，所述第一接觸結(jié)構(gòu)和所述第二接觸結(jié)構(gòu)分別位于所述第二區(qū)域的相對兩側(cè)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述第一接觸結(jié)構(gòu)沿第一方向交錯排布，和/或，所述第二接觸結(jié)構(gòu)沿第一方向交錯排布。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述刻蝕工藝中的刻蝕氣體為氟化硫氣體，氯氣，二氟甲烷、氮氣和氦氣。

10.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，所述基底具有相鄰設(shè)置的第一區(qū)域和第二區(qū)域；

字線，所述字線位于所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中；其中，所述第一區(qū)域的所述字線的特征尺寸不同于所述第二區(qū)域的所述字線的特征尺寸；

接觸結(jié)構(gòu)，所述接觸結(jié)構(gòu)位于特征尺寸較大的所述字線上。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一區(qū)域的所述字線的特征尺寸大于所述第二區(qū)域的所述字線的特征尺寸。