[發明專利]埋阻金屬箔在審
| 申請號： | 202011300950.8 | 申請日： | 2020-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN114521048A | 公開（公告）日： | 2022-05-20 |
| 發明（設計）人： | 蘇陟;高強 | 申請（專利權）人： | 廣州方邦電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H05K1/16 | 分類號： | H05K1/16 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 麥小嬋;郝傳鑫 |
| 地址： | 510530 廣東省廣州市廣州高*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 | ||
1.一種埋阻金屬箔，其特征在于，包括電阻層、導電層、粘結層以及多個導電凸起；
所述粘結層設于所述電阻層和所述導電層之間，多個所述導電凸起間隔分布在所述電阻層的一面上并凸出所述粘結層，且多個所述導電凸起被所述導電層覆蓋，或者多個所述顆粒團簇間隔分布在所述導電層的一面上，且多個所述顆粒團簇被所述電阻層覆蓋，或者多個所述顆粒團簇間隔分布在粘結層上。
2.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，多個所述導電凸起均勻分布在所述電阻層或所述導電層上。
3.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，多個所述導電凸起為第一金屬顆粒和/或由多個第二金屬顆粒組成的顆粒團簇。
4.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電凸起的高度為0.5微米～20微米。
5.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層的厚度為2微米～20微米。
6.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層包括鋁、銀、銅、金中的任意一種或多種。
7.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述導電層的導電率為所述電阻層的2～1000倍。
8.如權利要求1所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述電阻層包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦中的任意一種金屬，或者包括鎳、鉻、鉑、鈀、鈦、硅、磷中至少兩種組合的合金。
9.如權利要求1～8任一項所述的埋阻金屬箔，其特征在于，所述埋阻金屬箔還包括介質層，所述介質層設于所述電阻層遠離所述導電層的一面上。
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