[發明專利]形成多個光電器件的公共電極的方法

在審

• 申請號: 202011300785.6
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112825341A
• 公開（公告）日: 2021-05-21
• 發明（設計）人: 馬里恩·沃爾博特
• 申請（專利權）人: 原子能和替代能源委員會
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 馬芬;王琳

本發明涉及一種形成多個光電器件的公共電極(190)的方法，該方法包括以下步驟：a)提供支撐基底(111)，在該支撐基底上放置由溝槽(170)隔開的光電器件；b)在正面、側面和溝槽的底部上形成介電層(130)，在正面和側面上形成的介電層的厚度分別為厚度E1和小于厚度E1的厚度E2；c)將介電層(130)蝕刻厚度E3，以露出溝槽的第一部分(170a)處的側面；d)形成填充溝槽以及覆蓋正面的金屬層；e)對金屬層進行機械化學拋光，拋光停止在介電層(130)的一部分上，保留在溝槽(170)中的金屬形成公共電極(190)。

技術領域

本發明涉及微電子學和光電子學領域。具體地，本發明涉及一種在置于支撐基底的主表面上的器件(更具體地，發光二極管)的側面形成電接觸部的方法。

具體地，尤其是為了簡化制造以及增加對具有極高縱橫比的LED側面上的電極的控制而實施本發明。

背景技術

現有技術中已知的發光顯示器件通常包括發光二極管(LED)組件，尤其是氮化鎵基發光二極管(LED)組件。

LED從正面到背面包括：N摻雜半導體層、發光層組件以及P摻雜半導體層，并通過該LED的背面將LED置于設有控制電路的支撐基底上，該控制電路旨在在LED的P摻雜半導體層處單獨尋址每個LED。

發光顯示器件還包括與LED中的每個LED的N摻雜半導體層電接觸的公共電極。該電接觸通常在半導體層的側面發生。

因此，在圖1A至圖1G中示出了現有技術中已知的形成發光顯示器件的方法。

該方法具體包括如圖1A所示的提供在其主表面上形成有集成控制電路110的支撐基底111的步驟。該集成電路具體包括通過介電區域114彼此隔開的金屬連接柱113，該金屬連接柱113旨在通過其背面連接多個LED。

圖1B是在支撐基底151的主表面上形成的層的堆疊體150的示意圖。具體地，從該主表面上起，該層的堆疊體包括N摻雜半導體層153、發光層組件155以及P摻雜半導體層157。層中的每一層都可以包括氮化鎵。

根據現有技術中已知的方法，該層的堆疊體150隨后被轉接到支撐基底111的主表面上(圖1C)。轉接可以包括以下步驟：將堆疊體150接合在集成電路110上，然后移除支撐基底151。

此外，在接合步驟之前，可以在集成電路110和堆疊體150上分別形成一個或兩個中間金屬層116和159。

然后，在轉接步驟之后進行以下步驟：從堆疊體的暴露于外部環境的面起在堆疊體150中形成溝槽170，并且溝槽170在堆疊體的整個厚度上延伸，以限定多個LED 172(圖1D)。

溝槽的形成通常涉及以下連續步驟：

通過覆蓋堆疊體150的暴露表面來形成例如介電材料層的硬掩模層，

旨在借助光刻樹脂層在硬掩模層處劃定圖案120的光刻步驟，

蝕刻硬掩模層以形成硬掩模的圖案120，

去除在光刻步驟中施加的光刻樹脂，

通過硬掩模蝕刻堆疊體150以劃定LED。

可以繼續蝕刻步驟，以便接著從溝槽170的底部去除層116和層159的部分。

因此，在步驟的最后，支撐基底111包括由溝槽170彼此隔開的多個LED。

特別地，通過LED的背面將LED置于支撐基底111的主表面上，而每個LED的與背面相對并且通過側面與背面連接的正面覆蓋有硬掩模圖案120。因此，溝槽170由支撐基底的主表面處的底部以及LED的側面限定。