[發(fā)明專利]形成多個(gè)光電器件的公共電極的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011300785.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112825341A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬里恩·沃爾博特
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 原子能和替代能源委員會(huì)
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/36
• 代理公司: 北京派特恩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 馬芬;王琳

1.一種形成多個(gè)光電器件的公共電極(190)的方法，所述多個(gè)光電器件中的每個(gè)光電器件包括通過(guò)側(cè)面(151c)連接的正面(151a)和背面(151b)，所述方法包括以下步驟：

a)提供支撐基底(111)，通過(guò)所述多個(gè)光電器件的背面(151b)將由溝槽(170)隔開(kāi)的所述多個(gè)光電器件置于所述支撐基底的稱為主表面(111a)的表面上，所述溝槽(170)由所述光電器件的側(cè)面(151c)和所述主表面(111a)處的底部限定；

b)通過(guò)覆蓋所述正面、所述側(cè)面(151c)以及所述溝槽(170)的底部來(lái)形成介電層(130)，所述正面和所述側(cè)面(151c)處的所述介電層(130)的厚度分別為厚度E1和小于厚度E1的厚度E2；

c)將所述介電層(130)濕蝕刻小于所述厚度E1的厚度E3，以露出所述溝槽(170)的第一部分(171a)處的側(cè)面(151c)，并且至少部分地保留所述正面上的介電層(130)；

d)通過(guò)覆蓋所述溝槽(170)以及覆蓋所述正面來(lái)形成金屬層(185)；

e)對(duì)所述金屬層(185)進(jìn)行機(jī)械化學(xué)的拋光，所述拋光停止在步驟c)結(jié)束時(shí)所保留的覆蓋所述正面的所述介電層(130)的部分上，保留在所述溝槽(170)中的金屬形成所述公共電極(190)；

每個(gè)溝槽從底部起包括與所述第一部分相鄰的第二部分(171b)，所述第一部分(171a)和所述第二部分分別根據(jù)第一高度和第二高度進(jìn)行延伸，所述第一部分(171a)通向由所述光電器件的正面形成的平面，

步驟b)之前包括步驟b0)：根據(jù)順應(yīng)性沉積技術(shù)，通過(guò)覆蓋所述正面、所述側(cè)面(151c)以及所述溝槽(170)的底部來(lái)形成鈍化層(120)，步驟c)也能夠去除所述第一部分(171a)處的鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述厚度E1至少比所述厚度E2大2倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過(guò)原子層沉積來(lái)執(zhí)行步驟b0)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述鈍化層(120)至少包括選自以下的材料：SiO₂，Al₂O₃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述鈍化層(120)的厚度在5nm至30nm之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，通過(guò)等離子體激活化學(xué)氣相沉積技術(shù)形成所述介電層(130)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述介電層(130)包括選自以下材料中的至少一種材料：SiO₂，Si₃N₄。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，步驟a)包括將形成在種子基底上的層的堆疊體轉(zhuǎn)接在所述支撐基底(111)的主表面(111a)上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，在轉(zhuǎn)接所述層的堆疊體之后，形成在所述堆疊體的整個(gè)厚度上延伸的所述溝槽(170)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述溝槽(170)的形成使用在執(zhí)行步驟b)之前被去除的硬掩模。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述光電器件是發(fā)光二極管(172)，所述發(fā)光二極管從正面(151a)到背面(151b)包括：第一N摻雜半導(dǎo)體層(153)、發(fā)光層組件(155)以及第二P摻雜半導(dǎo)體層(157)，所述第一高度小于或等于所述第一N摻雜半導(dǎo)體層的厚度。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述支撐基底(111)在其主表面(111a)上包括集成電路，所述集成電路旨在單獨(dú)尋址所述多個(gè)光電器件中的每個(gè)光電器件。