[發(fā)明專利]具有旁通閥的排氣后處理部件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011300551.1
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號(hào): CN112901318A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: C·查普曼;M·羅賓森
• 申請（專利權(quán)）人: 佛吉亞排放控制技術(shù)美國有限公司
• 主分類號(hào): F01N3/20
• 分類號(hào): F01N3/20;F01N3/28;F01N9/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 胡曉萍

1.一種排氣系統(tǒng)，包括：

構(gòu)造為接收來自發(fā)動(dòng)機(jī)的排氣氣體的第一后處理基底；

位于所述第一后處理基底下游的第二后處理基底，其中，所述第一后處理基底小于所述第二后處理基底；以及

旁通閥，所述旁通閥構(gòu)造成當(dāng)排氣氣體溫度低于預(yù)先確定的溫度時(shí)在所述排氣氣體進(jìn)入所述第二后處理基底之前引導(dǎo)所述排氣氣體穿過所述第一后處理基底，并且構(gòu)造成當(dāng)所述排氣氣體溫度高于所述預(yù)先確定的溫度時(shí)允許排氣氣體對所述第一后處理基底旁通并進(jìn)入所述第二后處理基底。

2.如權(quán)利要求1所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第一后處理基底和第二后處理基底包括SCR基底。

3.如權(quán)利要求2所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，包括位于所述第二后處理基底上游且位于所述第一后處理基底下游的混合器和DOC或DOC/DPF。

4.如權(quán)利要求3所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，包括噴射系統(tǒng)，所述噴射系統(tǒng)至少具有構(gòu)造成將還原劑噴射到所述混合器中的第一定量給料器和構(gòu)造成在所述第一后處理基底上游噴射還原劑的第二定量給料器。

5.如權(quán)利要求4所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，所述旁通閥和所述第一定量給料器以及所述第二定量給料器由至少一個(gè)電子控制單元控制。

6.如權(quán)利要求1所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第一后處理基底定位在渦輪增壓器的緊接著的下游，并且包括：

圍繞所述第二后處理基底的殼體，

第一管，所述第一管具有與渦輪增壓器出口管流體連通的第一管端和與所述殼體的入口流體連通的第二管端，以及

第二管，所述第二管具有與所述渦輪增壓器出口管流體連通的第一管端和與所述殼體的入口流體連通的第二管端，并且其中，所述旁通閥定位在所述第一管與所述第二管中的一者之內(nèi)。

7.如權(quán)利要求6所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，所述旁通閥定位在所述第一管內(nèi)，并且所述第一后處理基底定位在所述第二管內(nèi)以提供并聯(lián)構(gòu)造。

8.如權(quán)利要求6所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，所述旁通閥定位在所述第一管內(nèi)，并且所述第一后處理基底定位在所述第一管內(nèi)、所述旁通閥下游，并且其中，當(dāng)所述旁通閥處于關(guān)閉位置中時(shí)，所述排氣氣體對所述第一后處理基底旁通，并且經(jīng)所述第二管流到殼體的入口。

9.如權(quán)利要求8所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，包括入口增壓室，所述入口增壓室將所述第一后處理基底的出口流體連接到所述殼體的入口，并且其中所述第二管的所述第二管端在所述第一后處理基底下游直接連接到所述入口增壓室。

10.如權(quán)利要求6所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，所述旁通閥定位在所述第一管內(nèi)，并且所述第一后處理基底定位在所述第二管內(nèi)，并且其中，當(dāng)所述旁通閥處于關(guān)閉位置中時(shí)，排氣氣體經(jīng)第二管流入所述第一后處理基底。

11.如權(quán)利要求10所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，包括入口增壓室，所述入口增壓室將所述第一后處理基底的出口流體連接到所述殼體的入口，并且其中，所述第一管的所述第二管端在所述第一后處理基底下游直接連接到所述入口增壓室。

12.如權(quán)利要求6所述的排氣系統(tǒng)，其特征在于，所述第一后處理基底包括圍繞所述第一后處理基底的中心殼體、連接到所述中心殼體的上游端的入口錐體和連接到所述中心殼體的下游端的出口錐體，并且其中，所述入口錐體包括構(gòu)造為接收定量給料器的定量給料器安裝接口。