[發明專利]導軌式去膠機

在審

• 申請號: 202011298875.6
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112435947A
• 公開（公告）日: 2021-03-02
• 發明（設計）人: 汪竹;陳酉冰;魏益波;錢燕娟
• 申請（專利權）人: 江蘇雷博科學儀器有限公司
• 主分類號: H01L21/677
• 分類號: H01L21/677;H01L21/67;B08B3/02;B08B13/00
• 代理公司: 江陰市權益專利代理事務所(普通合伙) 32443
• 代理人: 陳強

本發明一種導軌式去膠機，包含有安裝于機臺（101）一側的片盒單元（102）和去膠單元（103），兩個片盒單元（102）分別位于去膠單元（103）的兩側，機臺（101）另一側的滑軌（104）上滑動設置有滑動模組（105），滑動模組（105）上安裝吸附機構（106）；所述片盒單元（102）包含有安裝于升降模組（2.2）上的升降臺板（2.1），所述升降臺板（2.1）上堆疊有盒體（2.3）。本發明一種導軌式去膠機，結構緊湊、設計合理且體積小巧。

技術領域

本發明涉及一種導軌式去膠機，尤其是涉及一種用于對半導體基板（如晶圓）去膠清潔的設備，屬于半導體設備技術領域。

背景技術

目前，在半導體器件的制造過程中，對半導體基板如晶圓表面的潔凈度要求越來越嚴苛，半導體基板上的污染物如顆粒、有機物和金屬通常需要用化學反應或物理力作用來克服化學鍵的引力或物理粘附力從而被去除。如今半導體基板清洗仍以濕式清洗為主，濕式清洗通常分為槽式清洗和單片清洗兩種方式。槽式清洗能同時處理若干片基板，具有很高的清洗效率，然而，槽式清洗的最大缺點是污染物去除率受到一定的限制，這是因為即使在清洗中使用高純度的化學試劑與去離子水，從基板上清洗下來的污染物仍然存在于清洗液中，會對基板造成二次污染。為了避免基板被二次污染，單片清洗正逐步取代槽式清洗，單片清洗能有效防止基板的二次污染。在基板的清洗過程中，新的化學試劑和去離子水不斷地供應到基板的表面，而用過的化學試劑與去離子水直接排出并被回收。此外，成品率也是轉型到單片清洗的一個重要因素，通過使用單片清洗可以有效提成品率。與槽式清洗相比，單片清洗具有清洗效果好，清洗液回收率高，能有效防止交叉污染等優勢，但是產能相比槽式清洗而言比較低。

因此，在一些工藝中，為了獲得較佳的清洗效果且適當提高產能，需要采用槽式清洗和單片清洗相結合的方式對基板進行清洗，而現有的槽式清洗裝置和單片清洗裝置是完全獨立分開的兩套裝置，基板在槽式清洗裝置中清洗后，再放入單片清洗裝置中清洗和干燥，從而導致清洗工藝周期長，清洗成本高，且兩套裝置占用空間大。為此，亟需一種能夠解決上述問題的去膠機。

發明內容

本發明的目的在于克服上述不足，提供一種結構緊湊、設計合理且體積小巧的導軌式去膠機。

本發明的目的是這樣實現的：

一種導軌式去膠機，包含有安裝于機臺一側的片盒單元和去膠單元，兩個片盒單元分別位于去膠單元的兩側，機臺另一側的滑軌上滑動設置有滑動模組，滑動模組上安裝吸附機構。

本發明一種導軌式去膠機，所述片盒單元包含有安裝于升降模組上的升降臺板，所述升降臺板上堆疊有盒體。

本發明一種導軌式去膠機，所述去膠單元包含有安裝于機臺上的固定板，所述固定板上安裝有方腔，所述方腔內設置有頂升腔，所述頂升腔內設置有晶圓環，旋轉主軸插入方腔內的一端穿過頂升腔后驅動晶圓環，腔體頂伸桿的頂部穿入方腔內的一端與頂升腔的頂部外壁相連，晶圓環頂升桿的頂部穿入方腔內的一端、穿過頂升腔后與晶圓環的底面相連接；且晶圓環頂升桿的底部安裝于頂升座上。

本發明一種導軌式去膠機，所述方腔內設置有擺臂。

本發明一種導軌式去膠機，所述腔體頂伸桿和晶圓環頂升桿位于方腔內的部分均套裝有擋液件。

本發明一種導軌式去膠機，所述晶圓環頂升桿上套裝有密封導向件，該密封導向件嵌置于頂升腔上。

本發明一種導軌式去膠機，所述晶圓環的上表面的外沿凸起設置有限位擋塊。

與現有技術相比，本發明的有益效果是：

本發明片盒與去膠相結合，由手指吸附機構直接到片盒單元取片傳輸至去膠單元，去膠結束后再由手指吸附機構傳輸到另一側的片盒單元，整套結構縮短了工藝流程周期，降低工藝成本；且整機的可維護性高、成本低、投資小，便于推廣應用。

附圖說明

圖1為本發明一種導軌式去膠機的結構示意圖。