[發(fā)明專利]載臺組件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011297879.2
• 申請日: 2020-11-19
• 公開（公告）號: CN112626477A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設計）人: 林俊成;鄭耀璇
• 申請（專利權）人: 鑫天虹(廈門)科技有限公司
• 主分類號: C23C14/50
• 分類號: C23C14/50
• 代理公司: 北京科龍寰宇知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11139
• 代理人: 孫皓晨

本發(fā)明公開了一種載臺組件，包括基座與外墻。所述基座具有基材承載座以及圍繞其的圓形凹槽，再者，外墻圍繞于圓形凹槽的外圍。所述圓型凹槽的外緣與基材承載座的邊緣之間具有小于或等于5毫米的第一寬度，以及圓形凹槽的底部與外墻的頂部具有垂直的第一深度，其中所述第一深度與第一寬度的深寬比為1.5?4。當基材透過所述載臺組件受沉積作用時，載臺組件可防止基材的非目標面受到沉積。

技術領域

本發(fā)明關于一種載臺組件，尤其指一種利用外墻與圓形凹槽的結構設計來降低基材的非目標面受到沉積的一種載臺組件。

背景技術

在發(fā)光二極管(LED)與半導體工藝中，通常具有鍍膜制程(例如，物體氣相沉積(PVD))。然而，于現(xiàn)有技術的鍍膜制程中，常發(fā)生因基材的非目標面受到靶材粒子的沉積而導致電性異常或產(chǎn)品良率下降等問題。舉例而言，如圖1所示，圖1是現(xiàn)有技術的一種載臺裝置的示意圖。在傳統(tǒng)半導體制程中，用以承載晶圓W103的載臺Tray1為一個平臺，當晶圓W103的晶背受到靶材TGT的滲鍍或背鍍時，可能使晶圓W103良率偏低。此外，在絕緣柵雙極性晶體管(IGBT)的制程中，若晶圓發(fā)生背鍍現(xiàn)象，將使鍍膜的靶材被鍍于晶圓的工作區(qū)域，導致晶圓表面晶體管短路而嚴重影響產(chǎn)品良率。

現(xiàn)今有一種解決方式如圖2所示，圖2是現(xiàn)有技術的另一種載臺裝置的示意圖。所述方法是于裝載基材103的載臺Tray2的邊緣挖一圈深溝(凹槽)，并于中間形成基材承載座。所述方法可部份解決背鍍的問題(如圖2中的右框線A1內所示)，然而，仍然有部分的靶材TGT持續(xù)造成基材103的滲鍍或背鍍等問題(如圖2中的左框線A2內所示)。再者，如圖3所示，圖3是現(xiàn)有技術的另一種載臺裝置的示意圖。半導體鍍膜制程通常在高溫下進行，高溫常使得晶圓W103發(fā)生翹曲，因此，更容易導致背鍍現(xiàn)象產(chǎn)生。因此，在各種使用鍍膜制程的工藝中，如何降低基材的非目標面受到靶材的沉積是目前亟需解決的問題。

發(fā)明內容

因此，為了克服現(xiàn)有技術的不足之處，本發(fā)明實施例提供一種載臺組件，適用于防止基材的非目標面受沉積。所述載臺組件具有基座以及外墻。當所述載臺組件承載基材時，可透過外墻以及基座的凹槽來阻擋基材的非目標面受到沉積，以藉此降低基材的良率問題。本發(fā)明實施例提供的一種載臺組件，適用于防止基材的非目標面受沉積。所述載臺組件包括基座以及外墻。所述基座具有圓形凹槽，以使基座的中間形成圓形的基材承載座，所述圓形凹槽的外緣與所述基座的外緣之間具有第一距離并形成外墻底座，其中外墻底座具有外墻底座內面，而外墻底座內面相鄰圓形凹槽。所述外墻沿著所述外墻底座向上延伸，外墻具有外墻內面，而外墻內面相鄰圓形凹槽，其中外墻內面與外墻底座內面彼此切齊。所述圓型凹槽的外緣與所述基材承載座的邊緣之間具有第一寬度，以及所述圓形凹槽的底部與所述外墻的頂部具有垂直的第一深度，其中第一深度與第一寬度的深寬比為1.5-4，其中第一寬度小于或等于5毫米。

可選地，所述第一深度與所述第一寬度的深寬比為2-2.5，其中第一寬度小于或等于2毫米。

可選地，所述第一寬度小于或等于1毫米。

可選地，所述基座與所述外墻為組合而成，而所述圓形凹槽的底部與所述外墻底座的頂部之間具有凹槽外側深度，以及所述圓形凹槽的底部與所述基材承載座的頂部具有凹槽內側深度，其中凹槽外側深度大于、等于或小于凹槽內側深度。

可選地，所述凹槽外側深度大于1毫米，所述凹槽內側深度大于1毫米。

可選地，所述載臺組件更包括遮蔽頂座，為中空環(huán)狀圈體，設置于所述外墻的上方，所述遮蔽頂座圍繞一個中空部分，而所述中空部分的直徑小于所述圓形凹槽的圓形凹槽外緣的直徑。

可選地，所述遮蔽頂座還包括底部內緣，相鄰所述中空部分，而所述底部內緣與所述圓形凹槽的外緣之間具有第三距離，而所述第三距離為1-3毫米。所述遮蔽頂座的底部與所述外墻的頂部之間具有第四距離，而所述第四距離為0-3毫米。