[發明專利]顯示面板及其制備方法

在審

• 申請號: 202011296916.8
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112286399A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發明（設計）人: 茅健健
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

襯底模組；

傳感器結構，所述傳感器結構直接設置在所述襯底模組上；以及

蓋板，所述蓋板設置在所述傳感器結構上。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述傳感器結構包括第一絕緣層、第一金屬層、第二絕緣層、第二金屬層和封裝層；

所述第一絕緣層直接設置在所述襯底模組上；

所述第一金屬層包括過橋部，所述過橋部設置在所述第一絕緣層上；

所述第二絕緣層設置在所述過橋部上，所述第二絕緣層設置有通孔，所述通孔位于所述過橋部的兩側，所述通孔貫穿所述第二絕緣層，且所述通孔暴露所述過橋部；

所述第二金屬層包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極間隔設置；所述第一電極延伸入所述通孔連接于所述過橋部；所述第一電極和所述第二電極設置在所述第二絕緣層上；以及

所述封裝層設置在所述第二金屬層上。

3.根據權利要求2所述的顯示面板，其特征在于，所述第二絕緣層上還設置有第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽連通所述通孔；所述第一電極設置在所述第一凹槽中，所述第二電極設置在所述第二凹槽中。

4.根據權利要求3所述的顯示面板，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度為900納米-2500納米，所述第二絕緣層的厚度為900納米-3000納米，所述第一金屬層的厚度為600納米-2000納米，所述第二金屬層的厚度為600納米-2000納米，所述封裝層的厚度為1000納米-3000納米。

5.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一襯底模組；

在所述襯底模組上直接形成傳感器結構；以及

將蓋板設置于所述傳感器結構上。

6.根據權利要求5所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述襯底模組上直接形成傳感器結構，包括以下步驟中：

在所述襯底模組上形成第一絕緣層；

在所述第一絕緣層上形成第一金屬層；

在所述第一金屬層上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成第二金屬層；以及

在所述第二金屬層上形成封裝層。

7.根據權利要求6所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述襯底模組上形成第一絕緣層的步驟中，包括：

將第一材料直接涂布在所述襯底模組上，以形成第一膜層；

采用紫外光對所述第一膜層進行固化處理形成第一絕緣層。

8.根據權利要求7所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述第一絕緣層上形成第一金屬層的步驟中，包括：

將第二材料涂布在所述第一絕緣層上，以形成第二膜層；

對所述第二膜層進行蝕刻處理形成第一金屬層，所述第一金屬層包括過橋部。

9.根據權利要求8所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述第一金屬層上形成第二絕緣層的步驟中，包括：

將第三材料涂布在所述第一金屬層上，以形成第三膜層；

采用紫外光對所述第三膜層進行固化處理形成第二絕緣層，所述第二絕緣層設置有通孔，所述通孔位于所述過橋部的兩側，所述通孔貫穿所述第二絕緣層，且所述通孔暴露所述過橋部。

10.根據權利要求9所述的顯示面板的制備方法，其特征在于，在所述第二絕緣層上形成第二金屬層的步驟中，包括：

在所述第二絕緣層上涂布第四材料形成第四膜層；

對所述第四膜層進行蝕刻處理形成第二金屬層，所述第二金屬層包括第一電極和第二電極，所述第一電極和所述第二電極間隔設置；所述第二電極延伸入所述通孔連接于所述過橋部；所述第一電極和所述第二電極設置在所述第二絕緣層上。