[發明專利]GaN基探測器

在審

• 申請號: 202011296081.6
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112420856A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 楊天鵬;康建;鄭遠志;陳向東
• 申請（專利權）人: 馬鞍山杰生半導體有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/105
• 代理公司: 北京華智則銘知識產權代理有限公司 11573
• 代理人: 沈抗勇

本發明涉及探測器技術領域，且公開了GaN基探測器，包括襯底、GaN緩沖層、n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層，所述襯底、GaN緩沖層、n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層從下至上依次連接設置，所述n型歐姆層上設置有n型接觸層，所述p型歐姆層上設置有p型接觸層，所述n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層外覆蓋有一層鈍化層，所述本征型GaN有源層和p型歐姆層為錐臺形結構。本發明增強了歐姆接觸性能，保證了探測器的穩定性和響應速度。

技術領域

本發明涉及探測器技術領域，尤其涉及GaN基探測器。

背景技術

年來，GaN基材料因其寬的直接帶隙、穩定的化學性質、高擊穿電場以及電子飽和速率等特點，已經成為探測器領域的主流材料和研究熱點。GaN基探測器代替真空管進行紫外探測，具有重大的應用潛力。

現有的GaN基探測器的p型電極與n型電極的歐姆接觸性能較差，其較差的歐姆接觸性能，影響了探測器的穩定性和響應速度，不能夠很好的滿足實際使用需求。

發明內容

本發明的目的是為了解決現有技術中的GaN基探測器的p型電極與n型電極的歐姆接觸性能較差，其較差的歐姆接觸性能，影響了探測器的穩定性和響應速度，不能夠很好的滿足實際使用需求的問題，而提出的GaN基探測器。

為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：

GaN基探測器，包括襯底、GaN緩沖層、n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層，所述襯底、GaN緩沖層、n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層從下至上依次連接設置，所述n型歐姆層上設置有n型接觸層，所述p型歐姆層上設置有p型接觸層，所述n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層外覆蓋有一層鈍化層，所述本征型GaN有源層和p型歐姆層為錐臺形結構。

優選的，所述n型接觸層具體為n型歐姆接觸電極。

優選的，所述p型接觸層具體為p型歐姆接觸電極。

優選的，所述襯底具體為圓形化藍寶石襯底。

優選的，所述n型歐姆層為倒T形結構。

優選的，所述鈍化層具體為二氧化硅層。

優選的，所述鈍化層的表面開設有用于n型接觸層和p型接觸層伸出的通口。

優選的，所述n型接觸層和p型接觸層外均設有加厚電極。

優選的，所述n型接觸層為電子束蒸發的Ti/Al/Ni/Au材料構成。

優選的，所述p型接觸層為電子束蒸發的Ni/Au材料構成。

與現有技術相比，本發明提供了GaN基探測器，具備以下有益效果：

該GaN基探測器，通過設有的襯底、GaN緩沖層、n型歐姆層、本征型GaN有源層、p型歐姆層、n型接觸層、p型接觸層和鈍化層，襯底、GaN緩沖層、n型歐姆層、本征型GaN有源層、p型歐姆層、n型接觸層、p型接觸層和鈍化層依次連接設置，襯底采用圓形化藍寶石襯底通過在藍寶石表面制作微細結構，在材料生長過程中有利于應力的弛豫，并且能夠有效減少貫通性位錯的產生，提高晶體質量，鈍化層的設置對n型歐姆層、本征型GaN有源層和p型歐姆層都具有很好的防護，且在n型接觸層和p型接觸層加設加厚電極，保證了電性連接的穩定順暢性，增強了歐姆接觸性能，保證了探測器的穩定性和響應速度。

而且該裝置中未涉及部分均與現有技術相同或可采用現有技術加以實現，本發明增強了歐姆接觸性能，保證了探測器的穩定性和響應速度。

附圖說明

圖1為本發明提出的GaN基探測器的結構示意圖。