[發(fā)明專利]GaN基探測(cè)器

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011296081.6
• 申請(qǐng)日: 2020-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN112420856A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊天鵬;康建;鄭遠(yuǎn)志;陳向東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 馬鞍山杰生半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0224
• 分類號(hào): H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/105
• 代理公司: 北京華智則銘知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11573
• 代理人: 沈抗勇

1.GaN基探測(cè)器，包括襯底(1)、GaN緩沖層(2)、n型歐姆層(3)、本征型GaN有源層(4)和p型歐姆層(5)，其特征在于，所述襯底(1)、GaN緩沖層(2)、n型歐姆層(3)、本征型GaN有源層(4)和p型歐姆層(5)從下至上依次連接設(shè)置，所述n型歐姆層(3)上設(shè)置有n型接觸層(6)，所述p型歐姆層(5)上設(shè)置有p型接觸層(7)，所述n型歐姆層(3)、本征型GaN有源層(4)和p型歐姆層(5)外覆蓋有一層鈍化層(8)，所述本征型GaN有源層(4)和p型歐姆層(5)為錐臺(tái)形結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述n型接觸層(6)具體為n型歐姆接觸電極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述p型接觸層(7)具體為p型歐姆接觸電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述襯底(1)具體為圓形化藍(lán)寶石襯底。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述n型歐姆層(3)為倒T形結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述鈍化層(8)具體為二氧化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述鈍化層(8)的表面開設(shè)有用于n型接觸層(6)和p型接觸層(7)伸出的通口(9)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述n型接觸層(6)和p型接觸層(7)外均設(shè)有加厚電極(10)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述n型接觸層(6)為電子束蒸發(fā)的Ti/Al/Ni/Au材料構(gòu)成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN基探測(cè)器，其特征在于，所述p型接觸層(7)為電子束蒸發(fā)的Ni/Au材料構(gòu)成。