[發明專利]基板清洗裝置和基板清洗方法

在審

• 申請號: 202011294951.6
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112838027A
• 公開（公告）日: 2021-05-25
• 發明（設計）人: 酒井俊充;羽田敬子
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

本發明提供一種基板清洗裝置和基板清洗方法，在使用處理氣體進行基板的處理后適當地將殘留于基板的氣體成分去除。基板的清洗裝置具有：氣化部，其構成為輸出水蒸氣；第一加熱部，其構成為將氮氣加熱至第一溫度；第二加熱部，其構成為將氮氣加熱至第二溫度，所述第二溫度比所述第一溫度高；以及至少一個清洗腔室，其與所述氣化部、所述第一加熱部以及所述第二加熱部連接，所述清洗腔室構成為在大氣壓下使至少一個基板暴露在水蒸氣、具有所述第一溫度的氮氣或具有所述第二溫度的氮氣中。

技術領域

本公開涉及一種基板清洗裝置和基板清洗方法。

背景技術

在專利文獻1中公開了一種基板處理方法，該基板處理方法包括使用含有氟的氣體對基板實施處理的第一步驟、以及將所述基板暴露在含有水分的氣氛中的第二步驟。在該基板處理方法中，通過將基板暴露在含有水分的氣氛中來將殘留于基板的表面的氟去除。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-126734號公報

發明內容

發明要解決的問題

本公開所涉及的技術在使用處理氣體對基板進行處理后適當地將殘留于基板的氣體成分去除。

用于解決問題的方案

本公開的一個方式是一種基板的清洗裝置，具有：氣化部，其構成為生成水蒸氣；第一加熱部，其構成為將氮氣加熱至第一溫度；第二加熱部，其構成為將氮氣加熱至第二溫度，所述第二溫度比所述第一溫度高；以及至少一個清洗腔室，其與所述氣化部、所述第一加熱部以及所述第二加熱部連接，并且所述清洗腔室構成為在大氣壓下將至少一個基板暴露在水蒸氣、具有所述第一溫度的氮氣或具有所述第二溫度的氮氣中。

發明的效果

根據本公開，能夠在使用處理氣體對基板進行處理后適當地將殘留于基板的氣體成分去除。

附圖說明

圖1是表示本實施方式所涉及的晶圓處理裝置的概要結構的俯視圖。

圖2是表示第一實施方式所涉及的晶圓清洗模塊的概要結構的說明圖。

圖3是表示第一實施方式所涉及的晶圓清洗模塊的概要結構的說明圖。

圖4是表示第一實施方式所涉及的清洗腔室的概要結構的說明圖。

圖5是表示第一實施方式所涉及的清洗腔室的概要結構的俯視圖。

圖6是表示第一實施方式所涉及的清洗腔室的概要結構的側視圖。

圖7是表示在第一實施方式所涉及的清洗腔室的內部從供給口供給的氣體的流路的說明圖。

圖8是表示第一實施方式所涉及的晶圓的清洗處理中的晶圓清洗模塊的動作的說明圖。

圖9是表示第一實施方式的變形例所涉及的晶圓清洗模塊的概要結構的說明圖。

圖10是表示第二實施方式所涉及的晶圓清洗模塊的概要結構的說明圖。

圖11是表示第二實施方式所涉及的晶圓的清洗處理中的晶圓清洗模塊的動作的說明圖。

圖12是表示第三實施方式所涉及的晶圓清洗模塊的概要結構的說明圖。

圖13是表示第三實施方式所涉及的清洗腔室的概要結構的說明圖。

圖14是表示第三實施方式所涉及的蓋部的概要結構的說明圖。