[發(fā)明專利]基板清洗裝置和基板清洗方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011294951.6 | 申請日: | 2020-11-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112838027A | 公開(公告)日: | 2021-05-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 酒井俊充;羽田敬子 | 申請(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 清洗 裝置 方法 | ||
1.一種基板清洗裝置,是基板的清洗裝置,具有:
氣化部,其構(gòu)成為生成水蒸氣;
第一加熱部,其構(gòu)成為將氮?dú)饧訜嶂恋谝粶囟龋?/p>
第二加熱部,其構(gòu)成為將氮?dú)饧訜嶂恋诙囟龋龅诙囟缺人龅谝粶囟雀撸灰约?/p>
至少一個(gè)清洗腔室,其與所述氣化部、所述第一加熱部以及所述第二加熱部連接,所述清洗腔室構(gòu)成為在大氣壓下使至少一個(gè)基板暴露在水蒸氣、具有所述第一溫度的氮?dú)饣蚓哂兴龅诙囟鹊牡獨(dú)庵小?/p>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述第一溫度為50℃~100℃,
所述第二溫度為120℃~300℃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板清洗裝置,其特征在于,還具有:
至少一個(gè)控制部,其構(gòu)成為控制該基板清洗裝置,以使得在將水蒸氣供給至所述至少一個(gè)清洗腔室之后將具有所述第二溫度的氮?dú)夤┙o至所述至少一個(gè)清洗腔室;以及
壓力調(diào)節(jié)部,其構(gòu)成為與所述第二加熱部連接,用于將氮?dú)庹{(diào)節(jié)為期望的壓力,
所述第二加熱部或所述壓力調(diào)節(jié)部連接至將所述氣化部與所述至少一個(gè)清洗腔室連接的水蒸氣供給線路,經(jīng)由所述水蒸氣供給線路的一部分將具有所述第二溫度和所述期望的壓力的氮?dú)夤┙o至所述至少一個(gè)清洗腔室,來將殘留于所述水蒸氣供給線路的一部分和所述清洗腔室內(nèi)的水蒸氣去除。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述壓力調(diào)節(jié)部為加壓罐,所述加壓罐構(gòu)成為以所述期望的壓力貯存具有所述第二溫度的氮?dú)狻?/p>
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述至少一個(gè)清洗腔室具有多個(gè)清洗腔室,
所述多個(gè)清洗腔室共用所述氣化部、所述第一加熱部以及所述第二加熱部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板清洗裝置,其特征在于,
具有與所述多個(gè)清洗腔室連接的第一排氣線路及第二排氣線路。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述第一排氣線路用以在將具有所述第一溫度的氮?dú)夤┙o至所述清洗腔室內(nèi)之后排出所述清洗腔室內(nèi)的氣體,
所述第二排氣線路用以在將水蒸氣供給至所述清洗腔室內(nèi)之后排出所述清洗腔室內(nèi)的氣體,以及在將具有所述第二溫度的氮?dú)夤┙o至所述清洗腔室內(nèi)之后排出所述清洗腔室內(nèi)的氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述第一排氣線路用以在將具有所述第一溫度的氮?dú)夤┙o至所述清洗腔室內(nèi)之后排出所述清洗腔室內(nèi)的氣體,以及在將具有所述第二溫度的氮?dú)夤┙o至所述清洗腔室內(nèi)之后排出所述清洗腔室內(nèi)的氣體,
所述第二排氣線路用以在將水蒸氣供給至所述清洗腔室內(nèi)之后排出所述清洗腔室內(nèi)的氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述清洗腔室具有第一側(cè)壁和第二側(cè)壁,
所述第一側(cè)壁具有用于供給水蒸氣、具有所述第一溫度的氮?dú)庖约熬哂兴龅诙囟鹊牡獨(dú)獾墓┙o口,
所述第二側(cè)壁具有排氣口。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述清洗腔室收容一張基板并進(jìn)行清洗,并且所述清洗腔室具有在俯視觀察時(shí)覆蓋基板的翅片,所述翅片構(gòu)成為從所述供給口朝向所述排氣口形成沿著所述清洗腔室的內(nèi)側(cè)面和所述翅片的外側(cè)面的U字形的氣體的流路。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板清洗裝置,其特征在于,
所述清洗腔室收容一個(gè)或兩個(gè)基板并進(jìn)行清洗,并且所述清洗腔室具有在俯視觀察時(shí)配置于基板的外側(cè)的支柱,所述支柱構(gòu)成為從所述供給口朝向所述排氣口形成沿著所述清洗腔室的內(nèi)側(cè)面的圓弧形的氣體的流路。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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