[發明專利]射頻裝置及半導體設備

在審

• 申請號: 202011294633.X
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112397362A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 劉春明
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/02
• 分類號: H01J37/02;H01J37/32;H01L21/67;H01L21/3065
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發明公開一種射頻裝置及半導體設備，射頻裝置應用于半導體設備，所述射頻裝置包括射頻線圈和驅動件，所述射頻線圈包括柔性連接件和多個子線圈段，所述柔性連接件為導電材質，相鄰的所述子線圈段通過所述柔性連接件連接成所述射頻線圈，所述射頻線圈用于與射頻電源電性連接；多個所述子線圈段中的至少一者與所述驅動件連接，所述驅動件用于驅動對應連接的所述子線圈段升降。上述技術方案可以解決目前反應腔室內的等離子體分布不均勻，導致晶圓的刻蝕均勻性較差問題。

技術領域

本發明涉及半導體加工技術領域，尤其涉及一種射頻裝置及半導體設備。

背景技術

通常地，刻蝕工藝是半導體加工過程中的一個必需過程，感應耦合等離子體刻蝕是目前主要的刻蝕方法，其借助通電線圈激發工藝氣體產生等離子體，以借助等離子體對晶圓等半導體進行刻蝕工作，等離子分布的均勻性或直接影響晶圓的刻蝕均勻性。在刻蝕過程中，半導體通常放置在反應腔室中，由于反應腔室內的等離子體分布不均勻，導致晶圓的刻蝕均勻性較差。

發明內容

本發明公開一種射頻裝置及半導體設備，以解決目前反應腔室內的等離子體分布不均勻，導致晶圓的刻蝕均勻性較差問題。

為了解決上述問題，本發明采用下述技術方案：

第一方面，本發明公開一種射頻裝置，應用于半導體設備，所述射頻裝置包括：

射頻線圈，所述射頻線圈包括柔性連接件和多個子線圈段，所述柔性連接件為導電材質，相鄰的所述子線圈段通過所述柔性連接件連接成所述射頻線圈，所述射頻線圈用于與射頻電源電性連接；

驅動件，多個所述子線圈段中的至少一者與所述驅動件連接，所述驅動件用于驅動對應連接的所述子線圈段升降。

第二方面，本發明公開一種半導體設備，包括介質窗、反應腔室、射頻電源和匹配器，所述射頻電源與所述匹配器電連接，所述反應腔室和所述介質窗連接，所述半導體設備還包括：

上述射頻裝置，所述射頻裝置安裝于所述介質窗背離所述反應腔室的一側，所述射頻裝置通過所述匹配器與所述射頻電源電連接。

本發明采用的技術方案能夠達到以下有益效果：

本申請實施例公開一種射頻裝置，其射頻線圈包括柔性連接件和多個子線圈段，相鄰的子線圈段通過柔性連接件連接，這使得同一射頻線圈中的不同子線圈段能夠相對運動。在驅動件的作用下，可以使與驅動件連接的子線圈段產生升降動作。也就是說，與驅動件連接的子線圈段能夠向靠近介質窗或遠離介質窗的方向運動，這使得同一射頻線圈中的不同子線圈段與介質窗之間的間距可以不同。由于射頻線圈與介質窗可以等效為平行板電容器，在射頻線圈中各部分與介質窗之間的間距不同的情況下，前述各部分的電容值也不同，而射頻線圈的耦合效率與電容的容值相關，在電容的容值發生變化的情況下，反應腔室與射頻線圈中各部分分別對應的區域內的等離子的密度也會發生變化。在采用上述射頻裝置激發工藝氣體的過程中，可以根據反應腔室內的等離子體的實際分布情況，借助驅動件調整至少一個子線圈段與介質窗之間的間距，從而改變反應腔室內與該子線圈段對應的區域內的等離子體密度，使整個反應腔室內任意位置處的等離子體的密度均基本相同，提升反應腔室內的等離子體的分布均勻程度，提升晶圓的刻蝕均勻性。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為一種現有的射頻裝置的裝配示意圖；

圖2為本發明實施例公開的射頻裝置的裝配示意圖；

圖3為本發明實施例公開的射頻裝置中子線圈段的裝配結構示意圖；

圖4為本發明實施例公開的射頻裝置中射頻線圈的部分結構的示意圖；