[發(fā)明專利]半導體器件及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011294003.2
• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號: CN112420724B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉思敏;徐偉;許波;郭亞麗
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/11568;H01L27/11582
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括：

襯底；

堆疊層，設(shè)置于所述襯底上方且由絕緣層和柵極層交替層疊而成，所述堆疊層沿平行于所述襯底的第一橫向區(qū)分有過渡溝道柱區(qū)、以及位于所述過渡溝道柱區(qū)旁邊的虛擬溝道柱區(qū)；

過渡溝道柱陣列，形成于所述堆疊層中且位于所述過渡溝道柱區(qū)，并包括在所述第一橫向與在平行于所述襯底且垂直于所述第一橫向的第二橫向上呈陣列排列的多個過渡溝道柱；

虛擬溝道柱陣列，形成于所述堆疊層中且位于所述虛擬溝道柱區(qū)，并包括在所述第一橫向與所述第二橫向上呈陣列排列的多個虛擬溝道柱；

柵極隔槽，形成于所述堆疊層中并沿所述第二橫向延伸，且設(shè)置于所述過渡溝道柱陣列與所述虛擬溝道柱陣列之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述虛擬溝道柱設(shè)置于所述堆疊層所形成的階梯區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極隔槽包括多個且沿所述第一橫向間隔排布，并由所述過渡溝道柱陣列向所述虛擬溝道柱陣列的方向上的排布密度逐漸減小。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極隔槽包括多個且沿所述第二橫向間隔排布而呈虛線形。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括柵線狹縫，所述柵線狹縫沿垂直于所述襯底的縱向貫穿所述堆疊層，且沿所述第一橫向延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極隔槽與所述柵線狹縫的材料相同。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極隔槽在所述第一橫向上的截面形狀包括矩形、梯形、半圓形其中至少之一，且所述柵極隔槽面向所述虛擬溝道柱陣列的一側(cè)為一平面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述過渡溝道柱陣列中的所述過渡溝道柱的排布密度沿所述第一橫向向所述虛擬溝道柱區(qū)逐漸減小。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導體器件，其特征在于，所述過渡溝道柱具有關(guān)鍵尺寸，所述關(guān)鍵尺寸為所述過渡溝道柱的中心到所述過渡溝道柱的邊緣的距離，所述多個過渡溝道柱的所述關(guān)鍵尺寸沿所述第一橫向向所述虛擬溝道柱區(qū)逐漸增大。

10.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供襯底；

提供堆疊層，所述堆疊層設(shè)置于所述襯底上方且由絕緣層和柵極層交替層疊而成，所述堆疊層沿平行于所述襯底的第一橫向區(qū)分有過渡溝道柱區(qū)、以及位于所述過渡溝道柱區(qū)旁邊的虛擬溝道柱區(qū)；

提供過渡溝道柱陣列，所述過渡溝道柱陣列形成于所述堆疊層中且位于所述過渡溝道柱區(qū)，并包括在所述第一橫向與在平行于所述襯底且垂直于所述第一橫向的第二橫向上呈陣列排列的多個過渡溝道柱；

提供虛擬溝道柱陣列，所述虛擬溝道柱陣列形成于所述堆疊層中且位于所述虛擬溝道柱區(qū)，并包括在所述第一橫向與所述第二橫向上呈陣列排列的多個虛擬溝道柱；

提供柵極隔槽，所述柵極隔槽形成于所述堆疊層中并沿所述第二橫向延伸，且設(shè)置于所述過渡溝道柱陣列與所述虛擬溝道柱陣列之間。