[發(fā)明專利]用于處理基板的方法和用于處理基板的裝置

在審

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• 申請日: 2020-11-18
• 公開（公告）號(hào): CN112908889A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李知桓;李城吉;吳東燮;盧明燮;金東勛;樸玩哉
• 申請（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 鐘錦舜

提供一種用于處理基板的方法，用于處理所述基板的所述方法包括：去除形成在所述基板上的膜；使用等離子體狀態(tài)的處理氣體執(zhí)行預(yù)處理以對形成在所述基板上的所述膜進(jìn)行表面處理；以及通過在所述預(yù)處理之后將處理液體供應(yīng)到所述基板上來執(zhí)行液體處理以從所述基板去除所述膜。

技術(shù)領(lǐng)域

本文所公開的本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例涉及用于處理基板的方法和裝置，并且更具體地涉及用于從基板去除膜的方法和裝置。

背景技術(shù)

通常，通過重復(fù)執(zhí)行諸如薄膜沉積工藝、光刻工藝、蝕刻工藝、清潔工藝和拋光工藝的各種單元工藝來制造半導(dǎo)體器件。

其中，蝕刻工藝是去除由基板形成的膜。膜可以是用于形成圖案的薄膜或天然氧化膜。取決于用于執(zhí)行工藝的方式，將蝕刻工藝分為濕蝕刻工藝和干蝕刻工藝。

根據(jù)干蝕刻工藝，使用等離子體蝕刻基板上的膜。通常，通過允許包含在等離子體中的離子粒子與基板碰撞來執(zhí)行干蝕刻工藝。等離子體是指包含離子、電子和自由基的電離氣體的狀態(tài)。通常，為了形成等離子體，電磁場形成在腔室的內(nèi)部空間中，并且電磁場將設(shè)置在腔室中的工藝氣體激發(fā)成等離子體狀態(tài)。等離子體由非常高的溫度、強(qiáng)電場或射頻(RF)電磁場產(chǎn)生。

干蝕刻工藝可以更高的精度蝕刻基板中的精細(xì)圖案。然而，根據(jù)干蝕刻工藝，諸如包括碳(C)、氧(O)、氮(N)和氟(F)的聚合物的副產(chǎn)物產(chǎn)生并且粘到基板的外圍部分。另外，基板可以容易被等離子體損壞。

通常，根據(jù)濕蝕刻工藝，在基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)通過液體供應(yīng)噴嘴將蝕刻劑施加到基板，使得蝕刻劑通過離心力散布在基板的整個(gè)表面上，從而蝕刻基板。

濕蝕刻工藝具有低成本、更高的蝕刻速度和更高的選擇性的優(yōu)點(diǎn)。然而，根據(jù)濕蝕刻工藝，有毒廢物由蝕刻劑產(chǎn)生，并且蝕刻劑被供應(yīng)到旋轉(zhuǎn)的基板的中央?yún)^(qū)域，使得基板的中央?yún)^(qū)域比基板的邊緣區(qū)域被蝕刻得更多。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供用于處理基板的方法和用于處理基板的裝置，其能夠在蝕刻基板的過程中最小化對基板的損壞。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供用于處理基板的方法和用于處理基板的裝置，其能夠在蝕刻基板的過程中最小化副產(chǎn)物。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供用于處理基板的方法和用于處理基板的裝置，其能夠在蝕刻基板的過程中最小化所使用的蝕刻劑的量。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供用于處理基板的方法和用于處理基板的裝置，其能夠在蝕刻基板的過程中提高所使用的蝕刻效率。

本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例提供用于處理基板的方法和用于處理基板的裝置，其能夠在蝕刻基板的過程中在基板的整個(gè)區(qū)域中提供均勻的蝕刻程度。

本發(fā)明構(gòu)思提供用于處理基板的方法。根據(jù)示例性實(shí)施例，用于處理基板的方法可以包括：去除形成在所述基板上的膜；使用等離子體狀態(tài)的處理氣體執(zhí)行預(yù)處理以對形成在所述基板上的所述膜進(jìn)行表面處理；以及通過在所述預(yù)處理之后將處理液體供應(yīng)到所述基板上來執(zhí)行液體處理以從所述基板去除所述膜。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，所述表面處理可以包括在不蝕刻所述膜的情況下改變所述膜的性質(zhì)。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在預(yù)處理中，供應(yīng)到基板的邊緣區(qū)域的等離子體的量可以不同于供應(yīng)到基板的中央?yún)^(qū)域的等離子體的量。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在液體處理步驟中，處理液體可以供應(yīng)在旋轉(zhuǎn)的基板上。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，在基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，處理液體固定在與基板的中央?yún)^(qū)域相對的位置處。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，膜可以是天然氧化膜。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，處理氣體可以包括氫原子。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，處理氣體可以包括氫氣氨氣。

根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，處理液體可以包括氟。