[發(fā)明專利]用于處理基板的方法和用于處理基板的裝置

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011293430.9
• 申請(qǐng)日: 2020-11-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112908889A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李知桓;李城吉;吳東燮;盧明燮;金東勛;樸玩哉
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 細(xì)美事有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務(wù)所 11410
• 代理人: 鐘錦舜

1.一種用于處理基板的方法，所述方法包括：

去除形成在所述基板上的膜；

使用等離子體狀態(tài)的處理氣體執(zhí)行預(yù)處理，以對(duì)形成在所述基板上的所述膜進(jìn)行表面處理；以及

通過(guò)在所述預(yù)處理之后將處理液體供應(yīng)到所述基板上來(lái)執(zhí)行液體處理，以從所述基板去除所述膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述表面處理包括：

在不蝕刻所述膜的情況下改變所述膜的性質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述預(yù)處理中，被供應(yīng)到所述基板的邊緣區(qū)域的、每單位面積所述基板的所述處理氣體的量不同于被供應(yīng)到所述基板的中央?yún)^(qū)域的、每單位面積所述基板的所述處理氣體的量。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中在所述預(yù)處理中，被供應(yīng)到所述基板的所述邊緣區(qū)域的、每單位面積所述基板的所述處理氣體的量大于被供應(yīng)到所述基板的所述中央?yún)^(qū)域的、每單位面積所述基板的所述處理氣體的量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述液體處理中，所述處理液體被供應(yīng)到旋轉(zhuǎn)的所述基板上，并且

其中在所述基板正在旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，所述處理液體在固定位置處被供應(yīng)到所述基板的中央?yún)^(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述膜是天然氧化膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中任一項(xiàng)所述的方法，其中所述處理氣體包括氫原子。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中所述處理氣體包括氫氣或氨氣。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述處理液體包括氟。

10.一種用于處理基板的裝置，所述裝置包括：

等離子體處理單元，其被配置為通過(guò)供應(yīng)等離子體狀態(tài)的處理氣體來(lái)處理所述基板的表面；

液體處理單元，其被配置為通過(guò)將處理液體供應(yīng)到所述基板上來(lái)從所述基板去除膜；

傳送單元，其被配置為在所述等離子體處理單元與所述液體處理單元之間傳送所述基板；以及

控制器，其被配置為控制所述等離子體處理單元、所述液體處理單元和所述傳送單元，

其中所述控制器被配置為：

在從所述基板去除所述膜時(shí)，控制所述等離子體處理單元、所述液體處理單元和所述傳送單元，以在所述等離子體處理單元中使用所述等離子體狀態(tài)的所述處理氣體來(lái)處理所述基板的所述膜的表面，并且在將所述基板從所述等離子體處理單元傳送到所述液體處理單元之后，在所述液體處理單元中使用所述處理液體來(lái)從所述基板去除所述膜。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述表面處理用于在不蝕刻所述膜的情況下改變所述膜的性質(zhì)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述等離子體處理單元包括：

處理腔室，所述處理腔室在其內(nèi)部具有處理空間；

支撐單元，其被配置為支撐所述基板；

氣體供應(yīng)單元，其被配置為將所述處理氣體供應(yīng)到所述處理腔室中；以及

等離子體源，其配置為激發(fā)所述處理氣體處于所述等離子體狀態(tài)。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述氣體供應(yīng)單元被設(shè)置為調(diào)節(jié)被供應(yīng)到所述基板的中央?yún)^(qū)域的氣體的量和被供應(yīng)到所述基板的邊緣區(qū)域的氣體的量。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的裝置，其中所述氣體供應(yīng)單元還包括：

噴頭，其被配置為將所述處理氣體供應(yīng)到所述處理腔室中，并且

其中所述噴頭包括：

中央?yún)^(qū)域供應(yīng)單元，其被配置為將所述處理氣體噴射到所述基板的所述中央?yún)^(qū)域；以及

邊緣區(qū)域供應(yīng)單元，其被配置為將所述處理氣體噴射到所述基板的所述邊緣區(qū)域。