[發(fā)明專利]一種智能化組合型表面清洗設(shè)備和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011291692.1 | 申請日: | 2020-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN112382592B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 林和 | 申請(專利權(quán))人: | 林和 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 11399 | 代理人: | 田春龍 |
| 地址: | 北京市海淀區(qū)*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 智能化 組合 表面 清洗 設(shè)備 方法 | ||
本發(fā)明提出了一種新型智能化組合型表面清洗設(shè)備與方法。所述設(shè)備包括表面預(yù)處理腔體、表面清洗腔體、實時特性檢測系統(tǒng)和中央信息處理系統(tǒng);所述表面預(yù)處理腔體分別與所述表面清洗腔體、實時特性檢測系統(tǒng)和中央信息處理系統(tǒng)進行電連接;所述表面清洗腔體與實時特性檢測系統(tǒng)和中央信息處理系統(tǒng)進行電連接;所述實時特性檢測系統(tǒng)和中央信息處理系統(tǒng)進行電連接。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明提出了一種智能化組合型表面清洗設(shè)備和方法,屬于清洗技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展需要各種裝備與器件,而在制造這些裝備與器件的過程中都需要采用不同的設(shè)備與方法對不同材料的表面進行清洗,如對金屬,半導(dǎo)體(元素與化合物半導(dǎo)體),絕緣體,等等。由于現(xiàn)有清洗方法需要采用不同的清洗設(shè)備與方法以獲得實際應(yīng)用中所需要的物體表面特性,特別是對于醫(yī)學(xué)與生物醫(yī)學(xué)工程應(yīng)用所需要的物體清洗,都亟需解決效率低,可靠性差及成本高,等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種智能化組合型表面清洗設(shè)備和方法,用以解決用于解決現(xiàn)有技術(shù)中清洗效率低、可靠性差以及成本較高的問題,所采取的技術(shù)方案如下:
本發(fā)明提出的一種智能化組合型表面清洗設(shè)備,所述設(shè)備包括表面預(yù)處理腔體、表面清洗腔體、實時特性檢測系統(tǒng)和中央信息處理系統(tǒng);所述表面預(yù)處理腔體分別與所述表面清洗腔體、實時特性檢測系統(tǒng)和中央信息處理系統(tǒng)進行電連接;所述表面清洗腔體與實時特性檢測系統(tǒng)和中央信息處理系統(tǒng)進行電連接;所述實時特性檢測系統(tǒng)和中央信息處理系統(tǒng)進行電連接。
進一步地,所述實時特性檢測系統(tǒng)包括實時表面特性檢測系統(tǒng)和實時表面薄膜特性檢測系統(tǒng);所述實時表面特性檢測系統(tǒng)分別與所述表面預(yù)處理腔體、表面清洗腔體和中央信息處理系統(tǒng)進行電連接。
進一步地,所述中央信息處理系統(tǒng)包括中央控制器,用于根據(jù)待清洗物體的表面特征選擇與所述待清洗物體的表面特征對應(yīng)的表面預(yù)處理方案、工藝流程以及表面清洗腔體的清洗源,同時,將實時表面特性檢測系統(tǒng)的實時檢測結(jié)果反饋至中央處理器,自動調(diào)節(jié)待清洗物體的工藝處理流程的對應(yīng)參數(shù),并將參數(shù)調(diào)整信息指令發(fā)送至表面預(yù)處理腔體、表面清洗腔體。
進一步地,所述表面預(yù)處理腔體包括化學(xué)機械拋光處理腔、激光處理腔、等離子體處理腔、表面薄膜生長腔和表面薄膜去除腔;所述化學(xué)機械拋光處理腔的物體出口端與所述激光處理腔的物體進口端相連;所述激光處理腔的物體出口端與所述等離子體處理腔的物體進口端相連;所述等離子體處理腔的物體出口端與所述表面薄膜生長腔的物體進口端相連;所述表面薄膜生長腔的物體出口端與所述表面薄膜去除腔的物體進口端相連;
所述化學(xué)機械拋光處理腔分別與中央信息處理系統(tǒng)和實時表面特性檢測系統(tǒng);所述激光處理腔、等離子體處理腔和表面薄膜去除腔分別與實時表面特性檢測系統(tǒng)電連接;所述表面薄膜生長腔與實時表面薄膜特性檢測系統(tǒng)電連接。
進一步地,所述化學(xué)機械拋光處理腔,用于根據(jù)腔內(nèi)物體表面狀態(tài)的需求,利用化學(xué)和機械的表面處理方式對所述化學(xué)機械拋光處理腔內(nèi)的物體進行表面處理;
所述激光處理腔,用于根據(jù)腔內(nèi)物體表面狀態(tài)的需求,利用不同波長的激光進行物體表面的處理;而激光的能量與激光的產(chǎn)生方式,如脈沖與連續(xù)激光,等,也根據(jù)物體表面狀態(tài)的需求而設(shè)定。
所述等離子體處理腔,用于根據(jù)腔體內(nèi)物體表面狀態(tài)的需求選擇等離子體的種類,以及針對物體表面狀態(tài)的需求進行等離子處理的等離子流量、功率和能量參數(shù);
所述表面薄膜生長腔,用于根據(jù)腔體內(nèi)物體表面狀態(tài)的需求選擇薄膜種類及各薄膜種類對應(yīng)的厚度,并通過與物體表面狀態(tài)的需求對應(yīng)的薄膜處理方法對所述物體進行薄膜上漲處理;
所述表面薄膜去除腔,用于根據(jù)腔體內(nèi)物體表面狀態(tài)的需求選擇與所述物體表面狀態(tài)的需求對應(yīng)的薄膜去除方式,并對所述物體表面的薄膜進行去除。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





