[發明專利]一種智能化組合型表面清洗設備和方法有效
| 申請號: | 202011291692.1 | 申請日: | 2020-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN112382592B | 公開(公告)日: | 2021-10-22 |
| 發明(設計)人: | 林和 | 申請(專利權)人: | 林和 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京冠和權律師事務所 11399 | 代理人: | 田春龍 |
| 地址: | 北京市海淀區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 智能化 組合 表面 清洗 設備 方法 | ||
1.一種智能化組合型表面清洗設備,其特征在于,所述設備包括表面預處理腔體、表面清洗腔體、實時特性檢測系統和中央信息處理系統;所述表面預處理腔體分別與所述表面清洗腔體、實時特性檢測系統和中央信息處理系統進行電連接;所述表面清洗腔體與實時特性檢測系統和中央信息處理系統進行電連接;所述實時特性檢測系統和中央信息處理系統進行電連接,其中,所述表面預處理腔體包括化學機械拋光處理腔、激光處理腔、等離子體處理腔、表面薄膜生長腔和表面薄膜去除腔;所述化學機械拋光處理腔的物體出口端與所述激光處理腔的物體進口端相連;所述激光處理腔的物體出口端與所述等離子體處理腔的物體進口端相連;所述等離子體處理腔的物體出口端與所述表面薄膜生長腔的物體進口端相連;所述表面薄膜生長腔的物體出口端與所述表面薄膜去除腔的物體進口端相連;
所述化學機械拋光處理腔分別與中央信息處理系統和實時表面特性檢測系統;所述激光處理腔、等離子體處理腔和表面薄膜去除腔分別與實時表面特性檢測系統電連接;所述表面薄膜生長腔與實時表面薄膜特性檢測系統電連接。
2.根據權利要求1所述設備,其特征在于,所述實時特性檢測系統包括實時表面特性檢測系統和實時表面薄膜特性檢測系統;所述實時表面特性檢測系統分別與所述表面預處理腔體、表面清洗腔體和中央信息處理系統進行電連接。
3.根據權利要求1所述設備,其特征在于,所述中央信息處理系統包括中央控制器,用于根據待清洗物體的表面特征選擇與所述待清洗物體的表面特征對應的表面預處理方案、工藝流程以及表面清洗腔體的清洗源,同時,將實時表面特性檢測系統的實時檢測結果反饋至中央處理器,自動調節待清洗物體的工藝處理流程的對應參數,并將參數調整信息指令發送至表面預處理腔體、表面清洗腔體。
4.根據權利要求1所述設備,其特征在于,所述化學機械拋光處理腔,用于根據腔內物體表面狀態的需求,利用化學和機械的表面處理方式對所述化學機械拋光處理腔內的物體進行表面處理;
所述激光處理腔,用于根據腔內物體表面狀態的需求,利用不同波長的激光進行物體表面的處理;激光的能量與激光的產生方式采用脈沖與連續激光;
所述等離子體處理腔,用于根據腔體內物體表面狀態的需求選擇等離子體的種類,以及針對物體表面狀態的需求進行等離子處理的等離子流量、功率和能量參數;
所述表面薄膜生長腔,用于根據腔體內物體表面狀態的需求選擇薄膜種類及各薄膜種類對應的厚度,并通過與物體表面狀態的需求對應的薄膜處理方法對所述物體進行薄膜上漲處理;
所述表面薄膜去除腔,用于根據腔體內物體表面狀態的需求選擇與所述物體表面狀態的需求對應的薄膜去除方式,并對所述物體表面的薄膜進行去除。
5.根據權利要求1所述設備,其特征在于,所述表面清洗腔體包括物體清洗腔體、多普勒光源、激光光源、高能粒子源、電磁波源、磁場形成裝置、超聲波源、機械振動源、流體動力源和氣體動力源;所述多普勒光源、激光光源、高能粒子源、電磁波源、磁場形成裝置、超聲波源、機械振動源、流體動力源和氣體動力源分別設置在物體清洗腔體上;所述多普勒光源、激光光源、高能粒子源、電磁波源、磁場形成裝置、超聲波源、機械振動源、流體動力源和氣體動力源分別與中央信息處理系統電連接;所述物體清洗腔體與實時表面特性檢測系統電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





