[發(fā)明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011286002.3
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112397573B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發(fā)明（設計）人: 許喆
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本申請?zhí)峁┮环N陣列基板及其制備方法、顯示面板，陣列基板包括基板；有源層，所述有源層包括層疊設置的第一有源層和第二有源層；源極和漏極，所述源極和所述漏極設置在所述第一有源層兩個相對的邊緣區(qū)域上方；其中，所述第二有源層與所述源極和所述漏極間隔設置且位于所述源極和所述漏極之間；所述第二有源層的含氧量大于所述第一有源層的含氧量。本申請通過在第一有源層上制備第二有源層，所述第二有源層的含氧量大于所述第一有源層的含氧量，從而防止陣列基板的柵極絕緣層在沉積過程中等離子體與第一有源層直接接觸而造成損傷，提高了器件的性能。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示面板。

背景技術

隨著顯示技術的不斷發(fā)展，人們對顯示產品的分辨率、功耗和畫質的要求越來越高。為了滿足這些要求，目前經常采用低溫多晶氧化物(英文：Low?TemperaturePolycrystalline?Oxide，簡稱：LTPO)技術，來制作顯示產品的驅動背板中的像素驅動電路。這種LTPO技術即：同時利用低溫多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管作為像素驅動電路中的功能管，由于低溫多晶硅薄膜晶體管遷移率高，可以加快對像素電容的充電速度，金屬氧化物薄膜晶體管具有更低的泄漏電流，將這兩種晶體管的優(yōu)勢相結合，有助于高分辨率、低功耗、高畫質的顯示產品的開發(fā)。

目前，在LTPO技術制作像素驅動電路的基板中，頂層封裝薄膜采用低溫CVD(化學氣相沉積)技術進行制作，當采用CVD制備的絕緣層時，需要使用大量的氫，因此容易使氫向金屬氧化物薄膜晶體管中的有源層擴散，且在沉積絕緣層過程中，等離子體對IGZO(銦鎵鋅氧化物)層的轟擊會對有源層造成損傷，以上因素均會導致IGZO層的電學性能受到影響。

發(fā)明內容

本申請?zhí)峁┝艘环N陣列基板及其制備方法、顯示面板，用以防止制作低溫多晶硅薄膜晶體管引入的氫容易對金屬氧化物薄膜晶體管中的有源層產生影響，導致器件性能降低的問題。

為了實現(xiàn)上述效果，本申請?zhí)峁┑募夹g方案如下：

一種陣列基板，包括：

基板；

有源層，所述有源層包括層疊設置的第一有源層和第二有源層；

源極和漏極，所述源極和所述漏極設置在所述第一有源層兩個相對的邊緣區(qū)域上方；其中，

所述第二有源層與所述源極和所述漏極間隔設置且位于所述源極和所述漏極之間；所述第二有源層的含氧量大于所述第一有源層的含氧量。

本申請的陣列基板中，所述第一有源層包括溝道區(qū)，所述第二有源層對應所述第一有源層的溝道區(qū)設置。

本申請的陣列基板中，所述第一有源層溝道區(qū)在所述基板上的投影位于所述第二有源層在所述基板上的投影內。

本申請的陣列基板中，所述陣列基板還包括柵極和柵極絕緣層；所述第一有源層、所述第二有源層、所述柵極絕緣層以及所述柵極依次層疊設置。

本申請的陣列基板中，所述陣列基板還包括柵極和柵極絕緣層；所述柵極、所述柵極絕緣層、所述第一有源層以及所述第二有源層依次層疊設置。

本申請的陣列基板中，所述第二有源層的厚度小于所述第一有源層的厚度。

本申請的陣列基板中，所述第一有源層的厚度為20nm-100nm，所述第二有源層的厚度為20nm-200nm。

本申請還提供一種陣列基板的制備方法，所述制備方法包括：

步驟S10：在基板上依次制備第一有源層薄膜和第二有源層薄膜，其中，所述第二有源層薄膜的含氧量大于所述第一有源層薄膜的含氧量；

步驟S20：對所述第一有源層薄膜和所述第二有源層薄膜圖案化處理，形成有源層，所述有源層包括第一有源層和第二有源層；