[發明專利]一種陣列基板及其制備方法、顯示面板

有效

• 申請號: 202011286002.3
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112397573B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 許喆
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/10
• 分類號: H01L29/10;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

有源層，所述有源層包括位于所述基板上的第一有源層、及位于所述第一有源層遠離所述基板一側的第二有源層；

柵極絕緣層，位于所述有源層遠離所述基板的一側，所述柵極絕緣層覆蓋所述有源層；

柵極，位于所述柵極絕緣層遠離所述有源層的一側；

源極和漏極，所述源極和所述漏極設置在所述第一有源層兩個相對的邊緣區域上方；其中，

所述第一有源層和所述第二有源層均為經過含氧等離子體處理后的銦鋅氧化物薄膜層，所述第二有源層與所述源極和所述漏極間隔設置且位于所述源極和所述漏極之間；所述第二有源層的含氧量大于所述第一有源層的含氧量，所述第一有源層包括溝道區，所述第二有源層對應所述第一有源層的溝道區設置，所述第二有源層完全覆蓋所述第一有源層的溝道區。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層溝道區在所述基板上的投影位于所述第二有源層在所述基板上的投影內。

3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二有源層的厚度小于所述第一有源層的厚度。

4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一有源層的厚度為20nm-100nm，所述第二有源層的厚度為20nm-200nm。

5.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

步驟S10：在基板上依次制備第一有源層薄膜和第二有源層薄膜，其中，所述第二有源層薄膜的含氧量大于所述第一有源層薄膜的含氧量；

步驟S20：對所述第一有源層薄膜和所述第二有源層薄膜圖案化處理，形成有源層，所述有源層包括第一有源層和第二有源層，所述第一有源層和所述第二有源層均為經過含氧等離子體處理后的銦鋅氧化物薄膜層；

步驟S30：對所述第二有源層圖案化處理，使所述第二有源層的厚度小于所述第一有源層的厚度，其中，所述第一有源層包括溝道區，所述第二有源層對應所述第一有源層的溝道區設置，所述第二有源層完全覆蓋所述第一有源層的溝道區；

步驟S40：在所述第二有源層遠離所述第一有源層的一側依次制備柵極絕緣層和柵極，所述柵極絕緣層完全覆蓋所述第一有源層和所述第二有源層。

6.如權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述步驟S10包括在所述第一有源層薄膜上沉積第二有源層薄膜，同時通入氬氣和氧氣；所述氬氣和氧氣的比值為8：1至10：1。

7.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1～4中任一項所述的陣列基板。