[發(fā)明專利]有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及形成有源區(qū)結(jié)構(gòu)的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011285381.4
• 申請(qǐng)日: 2020-11-17
• 公開（公告）號(hào): CN112271179A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許耀光;童宇誠(chéng);朱賢士;周運(yùn)帆;郭鵬
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

本公開提供一種有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及形成有源區(qū)結(jié)構(gòu)的方法，該有源區(qū)結(jié)構(gòu)包括設(shè)置于所述有源層上的有源區(qū)；其中，所述有源區(qū)為封閉結(jié)構(gòu)，所述有源區(qū)包括沿預(yù)設(shè)方向的若干間隔設(shè)置的第一有源線、與所述第一有源線間隔且交替的第二有源線、第一封閉邊界和第二封閉邊界；所述第一有源線的兩端均與所述第一封閉邊界相交；所述第一有源線包括若干間隔設(shè)置的第一器件單元，所述第二有源線包括若干間隔設(shè)置的第二器件單元，所述第一器件單元與所述第二器件單元交錯(cuò)設(shè)置。這種結(jié)構(gòu)可以均衡有源器件單元與其邊界的應(yīng)力，防止器件單元因?yàn)閼?yīng)力不均而損壞。且第二封閉邊界與器件單元同時(shí)形成，可以減少掩膜版的數(shù)量，簡(jiǎn)化工藝流程，降低成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及形成有源區(qū)結(jié)構(gòu)的方法。

背景技術(shù)

近年來對(duì)于電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，一般會(huì)具有多功能且快速的處理能力。為了增加處理能力，例如是電腦系統(tǒng)或是多功能的電子產(chǎn)品，其都需要大容量的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)。而為了能提升記憶容量，存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元的尺寸需要縮小，但是存儲(chǔ)單元的尺寸大量縮小后會(huì)引發(fā)其他的問題，使得存儲(chǔ)單元的操作不穩(wěn)定或是損毀，尤其是有源器件單元與其邊界的應(yīng)力不均造成的器件損害。

現(xiàn)有的半導(dǎo)體器件的制備過程中，通常將有源層單元(器件單元)限定在襯底上并且用作在其上形成所需的器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)。以DRAM的存儲(chǔ)單元為例，多個(gè)存儲(chǔ)單元規(guī)則地布置在預(yù)定的器件區(qū)域中以形成陣列(有源區(qū))，器件單元最終形成存儲(chǔ)單元。此外，對(duì)于能夠工作的存儲(chǔ)單元，在存儲(chǔ)單元的外圍設(shè)置一些外圍電路以控制存儲(chǔ)單元。外圍電路也基于外圍有源區(qū)域形成的，但是通常外圍電路區(qū)別于器件單元所在的器件有源區(qū)，外圍電路是單獨(dú)通過掩膜版刻蝕形成的，這使得整個(gè)制備工藝過程復(fù)雜化、難度較大，且制備成本增加。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)上述問題，本公開提供了一種有源區(qū)結(jié)構(gòu)以及形成有源區(qū)結(jié)構(gòu)的方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)中有源器件單元與其邊界的應(yīng)力不均造成的器件損害以及器件有源區(qū)和外圍電路分開刻蝕導(dǎo)致的制備工藝過程復(fù)雜化、難度較大、成本增加的技術(shù)問題。

第一方面，本公開提供一種有源區(qū)結(jié)構(gòu)，包括：

半導(dǎo)體襯底；

位于所述襯底上方的有源層；

設(shè)置于所述有源層上的有源區(qū)；

其中，所述有源區(qū)為封閉結(jié)構(gòu)，所述有源區(qū)包括沿預(yù)設(shè)方向的若干間隔設(shè)置的第一有源線、與所述第一有源線間隔且交替的第二有源線、圍繞所有所述第一有源線和所述第二有源線的第一封閉邊界，以及圍繞于所述第一封閉邊界外圍的第二封閉邊界；所述第一有源線的兩端均與所述第一封閉邊界相交，所述第二有源線不與所述第一封閉邊界接觸；所述第一有源線包括若干間隔設(shè)置的第一器件單元，所述第二有源線包括若干間隔設(shè)置的第二器件單元，所述第一器件單元與所述第二器件單元交錯(cuò)設(shè)置。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，優(yōu)選地，所述第一有源線的兩端均延伸至所述第一封閉邊界范圍外。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，優(yōu)選地，

靠近所述第一封閉邊界的所述第一器件單元與所述第一封閉邊界相交；

所述第二器件單元不與所述第一封閉邊界接觸。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，優(yōu)選地，與所述第一封閉邊界相交的所有所述第一器件單元的長(zhǎng)度各不相同。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，優(yōu)選地，每個(gè)器件單元之間通過第一淺溝槽隔離，所述第一封閉邊界與所述第二封閉邊界之間通過第二淺溝槽隔離。

根據(jù)本公開的實(shí)施例，優(yōu)選地，所述第一有源線的線寬與所述第二有源線的線寬相同。

第二方面，本公開提供一種形成有源區(qū)結(jié)構(gòu)的方法，包括：