[發明專利]有源區結構以及形成有源區結構的方法

在審

• 申請號: 202011285381.4
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112271179A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 許耀光;童宇誠;朱賢士;周運帆;郭鵬
• 申請（專利權）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司 11372
• 代理人: 吳大建;陳敏

1.一種有源區結構，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述襯底上方的有源層；

設置于所述有源層上的有源區；

其中，所述有源區為封閉結構，所述有源區包括沿預設方向的若干間隔設置的第一有源線、與所述第一有源線間隔且交替的第二有源線、圍繞所有所述第一有源線和所述第二有源線的第一封閉邊界，以及圍繞于所述第一封閉邊界外圍的第二封閉邊界；所述第一有源線的兩端均與所述第一封閉邊界相交，所述第二有源線不與所述第一封閉邊界接觸；所述第一有源線包括若干間隔設置的第一器件單元，所述第二有源線包括若干間隔設置的第二器件單元，所述第一器件單元與所述第二器件單元交錯設置。

2.根據權利要求1所述的有源區結構，其特征在于，所述第一有源線的兩端均延伸至所述第一封閉邊界范圍外。

3.根據權利要求1所述的有源區結構，其特征在于，

靠近所述第一封閉邊界的所述第一器件單元與所述第一封閉邊界相交；

所述第二器件單元不與所述第一封閉邊界接觸。

4.根據權利要求3所述的有源區結構，其特征在于，與所述第一封閉邊界相交的所有所述第一器件單元的長度各不相同。

5.根據權利要求1所述的有源區結構，其特征在于，每個器件單元之間通過第一淺溝槽隔離，所述第一封閉邊界與所述第二封閉邊界之間通過第二淺溝槽隔離。

6.根據權利要求1所述的有源區結構，其特征在于，所述第一有源線的線寬與所述第二有源線的線寬相同。

7.一種形成有源區結構的方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，并在所述襯底上方形成有源層；

在所述有源層上方形成犧牲層，并對所述犧牲層進行圖案化處理，以在所述有源層上方形成犧牲層圖案；其中，所述犧牲層圖案包括沿預設方向的若干間隔設置的分隔圖案單元，以及圍繞所有所述分隔圖案單元的封閉的第一邊界圖案單元，所述分隔圖案單元的兩端均與所述第一邊界圖案單元相交；

在所述犧牲層圖案的每個圖案單元的側壁上形成間隔物；

對所述間隔物之間進行填充，形成包覆所述犧牲層圖案的填充層，去除所述填充層中的間隔物，以在所述有源層上方形成填充層圖案；其中，所述填充層圖案包括與所述分隔圖案單元間隔且交替的填充圖案單元，以及圍繞于所述第一邊界圖案單元外圍的封閉的第二邊界圖案單元，所述填充圖案單元不與所述第一邊界圖案單元接觸；

對所述分隔圖案單元和所述填充圖案單元進行圖案化處理，以得到圖案化處理后的所述分隔圖案單元和所述填充圖案單元；

以所述第一邊界圖案單元、所述第二邊界圖案單元、圖案化處理后的所述分隔圖案單元和所述填充圖案單元為刻蝕掩膜，對所述有源層進行刻蝕，以在所述有源層上形成沿所述預設方向的若干間隔設置的第一有源線、與所述第一有源線間隔且交替的第二有源線、圍繞所有所述第一有源線和所述第二有源線的第一封閉邊界，以及圍繞于所述第一封閉邊界外圍的第二封閉邊界，從而形成有源區；

其中，所述第一有源線的兩端均與所述第一封閉邊界相交，所述第二有源線不與所述第一封閉邊界接觸；所述第一有源線包括若干間隔設置的第一器件單元，所述第二有源線包括若干間隔設置的第二器件單元，所述第一器件單元與所述第二器件單元交錯設置。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，

所述分隔圖案單元延伸至所述第一邊界圖案單元范圍外；

所述第一有源線的兩端均延伸至所述第一封閉邊界范圍外。

9.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，

靠近所述第一封閉邊界的所述第一器件單元與所述第一封閉邊界相交；

所述第二器件單元不與所述第一封閉邊界接觸。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，與所述第一封閉邊界相交的所有所述第一器件單元的長度各不相同。