[發(fā)明專利]陣列基板及顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011285112.8 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-17 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112436054B | 公開（公告）日： | 2022-07-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 程立昆 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/423 | 分類號(hào)： | H01L29/423;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人： | 張曉薇 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陣列 顯示 面板 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N陣列基板及顯示面板。該陣列基板包括：基板；陣列層，設(shè)置于所述基板上，所述陣列層包括第一MOS管和第二MOS管；所述第一MOS管的溝道層為低溫多晶硅層，所述第二MOS管的溝道層為氧化物半導(dǎo)體層。其中，所述第一MOS管和所述第二MOS管在所述基板上的正投影至少部分重疊。本申請(qǐng)可以減小像素之間的尺寸，從而提高面板的像素?cái)?shù)量，進(jìn)而提高分辨率。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示面板。
背景技術(shù)
現(xiàn)行LTPO像素電路，評(píng)估的主要方案是沿用經(jīng)典設(shè)計(jì)。7T1C(也即是7個(gè)薄膜晶體管以及1個(gè)電容)布局相比LTPS電路不做改變，像素間隙達(dá)到78.1μm，對(duì)應(yīng)像素?cái)?shù)量僅為325。當(dāng)考量銦鎵鋅氧化物新材料時(shí)，可以根據(jù)膜層堆疊的優(yōu)勢(shì)和新材料的特性，對(duì)電路布局做出改變，增大分辨率。在LTPO像素電路中，現(xiàn)有的電路排布方案相比LTPS方案，雖然有所改進(jìn)，但并沒有完全發(fā)揮出新工藝在膜層結(jié)構(gòu)上的優(yōu)勢(shì)，使得像素尺寸較大，不利于提高面板的像素?cái)?shù)量，從而分辨率無法滿足需求。
因此，現(xiàn)有技術(shù)存在缺陷，急需改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例的目的在于提供一種陣列基板及顯示面板，可以減小像素之間的尺寸，從而提高面板的像素?cái)?shù)量，進(jìn)而提高分辨率。
第一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：
基板；
陣列層，設(shè)置于所述基板上，包括第一MOS管和第二MOS管；
其中，所述第一MOS管和所述第二MOS管在所述基板上的正投影至少部分重疊。
可選地，在本申請(qǐng)實(shí)施例所述的陣列基板中，所述陣列層包括：
第一溝道層，其設(shè)置于所述基板上；
第一柵極金屬層，其設(shè)置于所述第一溝道層上方并與所述第一溝道層正對(duì)；
第二柵極金屬層，其設(shè)置于所述第一溝道層上方，所述第二柵極金屬層包括第一區(qū)域以及第二區(qū)域，所述第一區(qū)域與所述第一柵極金屬層正對(duì)，所述第二區(qū)域與所述第一柵極金屬層錯(cuò)開；
第二溝道層，其設(shè)置于第二柵極金屬層上方并與第二區(qū)域正對(duì)；
第三柵極金屬層，其設(shè)置于所述第二溝道層上方并與所述第二溝道層正對(duì)。
可選地，在本申請(qǐng)實(shí)施例所述的陣列基板中，所述第一溝道層為低溫多晶硅層，所述第二溝道層為氧化物半導(dǎo)體層。
可選地，在本申請(qǐng)實(shí)施例所述的陣列基板中，所述陣列層還包括：
第一柵極絕緣層，其設(shè)置于所述基板以及所述第一溝道層上，所述第一柵極金屬層設(shè)置于所述第一柵極絕緣層上；
第二柵極絕緣層，其設(shè)置于所述第一柵極絕緣層以及所述第一柵極金屬層上，所述第二柵極金屬層設(shè)置于所述第二柵極絕緣層上；
第一層間介質(zhì)層，其設(shè)置于所述第二柵極金屬層以及所述第二柵極絕緣層上，所述第二溝道層設(shè)置于所述第一層間介質(zhì)層上；
第三柵極絕緣層，其設(shè)置于所述第一層間介質(zhì)層以及所述第二溝道層上，所述第三柵極金屬層設(shè)置于所述第三柵極絕緣層上；
第二層間介質(zhì)層，其設(shè)置于所述第三柵極絕緣層以及所述第三柵極金屬層上。
可選地，在本申請(qǐng)實(shí)施例所述的陣列基板中，所述陣列層還包括：
第一源漏金屬層，其設(shè)置于所述第二層間介質(zhì)層上，所述第一源漏金屬層包括第一源極金屬、第一漏極金屬、第二源極金屬以及第二漏極金屬；
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司，未經(jīng)武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011285112.8/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
