[發明專利]陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 202011285112.8
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112436054B
• 公開（公告）日: 2022-07-29
• 發明（設計）人: 程立昆
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L27/12;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：

基板；

陣列層，設置于所述基板上，包括第一MOS管和第二MOS管；所述陣列層包括：

第一溝道層，其設置于所述基板上，所述第一溝道層為低溫多晶硅層；

第一柵極金屬層，其設置于所述第一溝道層上方并與所述第一溝道層正對；

第二柵極金屬層，其設置于所述第一溝道層上方，所述第二柵極金屬層包括第一區域以及第二區域，所述第一區域與所述第一柵極金屬層正對，所述第二區域與所述第一柵極金屬層錯開；

第二溝道層，其設置于第二柵極金屬層上方并與第二區域正對，所述第二溝道層為氧化物半導體層；

第三柵極金屬層，其設置于所述第二溝道層上方并與所述第二溝道層正對；

其中，所述第一MOS管和所述第二MOS管在所述基板上的正投影至少部分重疊。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列層還包括：

第一柵極絕緣層，其設置于所述基板以及所述第一溝道層上，所述第一柵極金屬層設置于所述第一柵極絕緣層上；

第二柵極絕緣層，其設置于所述第一柵極絕緣層以及所述第一柵極金屬層上，所述第二柵極金屬層設置于所述第二柵極絕緣層上；

第一層間介質層，其設置于所述第二柵極金屬層以及所述第二柵極絕緣層上，所述第二溝道層設置于所述第一層間介質層上；

第三柵極絕緣層，其設置于所述第一層間介質層以及所述第二溝道層上，所述第三柵極金屬層設置于所述第三柵極絕緣層上；

第二層間介質層，其設置于所述第三柵極絕緣層以及所述第三柵極金屬層上。

3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列層還包括：

第一源漏金屬層，其設置于所述第二層間介質層上，所述第一源漏金屬層包括第一源極金屬、第一漏極金屬、第二源極金屬以及第二漏極金屬；

所述第一源極金屬通過第一金屬化孔與所述第一溝道層電連接，所述第一漏極金屬通過第二金屬化孔與所述第一溝道層電連接，所述第二源極金屬通過第三金屬化孔與所述第二溝道層電連接，所述第二漏極金屬通過第四金屬化孔與所述第二溝道層電連接，所述第二漏極金屬還通過第五金屬化孔與所述第一溝道層電連接。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一MOS管包括所述第一溝道層、所述第一柵極金屬層、所述第二柵極金屬層、所述第一源極金屬以及所述第一漏極金屬；

所述第二MOS管包括所述第二柵極金屬層、所述第二溝道層、所述第三柵極金屬層、所述第二源極金屬以及所述第二漏極金屬。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列層還包括第一電容，所述第一電容與所述第一MOS管重疊設置，其中，所述第一柵極金屬層與所述第二柵極金屬層形成所述第一電容。

6.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第二源極金屬以及所述第二漏極金屬位于所述第一源極金屬與所述第一漏極金屬之間。

7.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在垂直于所述基板的方向上，所述第二溝道層與所述第二柵極金屬層的第二區域重疊設置。

8.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-7任一項所述的陣列基板。