[發明專利]金屬氧化物半導體MOS器件

在審

• 申請號: 202011284282.4
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN112331634A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: M·古普塔;陳向東;權武尚
• 申請（專利權）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L23/528;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 呂世磊

本公開的實施例涉及金屬氧化物半導體MOS器件。MOS器件包括第一、第二、第三和第四互連。第一互連(402)在第一方向上在第一軌道上延伸。第一互連被配置在金屬層中。第二互連(404)在第一方向上在第一軌道上延伸。第二互連被配置在金屬層中。第三互連(408)在第一方向上在第二軌道上延伸。第三互連被配置在金屬層中。第二軌道平行于第一軌道。第三互連耦合到第二互連。第二和第三互連(404，408)被配置為提供第一信號(Clk)。第四互連(410)在第一方向上在第二軌道上延伸。第四互連被配置在金屬層中。第四互連耦合到第一互連。第一和第四互連(402，410)被配置為提供不同于第一信號的第二信號(Clk)。

本申請是申請日為2016年3月31日、申請號為201680029651.0、發明名稱為“用于單向M1的多高度順序單元中的交叉耦合的時鐘信號分發布局”的中國發明專利申請的分案申請。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2015年5月27日提交的題為“用于單向M1的多高度順序單元中的交叉耦合(CROSS-COUPLE IN MULTI-HEIGHT SEQUENTIAL CELLS FOR UNI-DIRECTIONAL M1)”的美國專利申請No.14/723,357的權益，其全部內容明確地通過引用并入本文。

技術領域

本公開總體上涉及用于單向M1的多高度順序單元中的交叉耦合結構。

背景技術

隨著半導體器件以更小的尺寸被制造，半導體器件的制造商發現在單個芯片上集成更大量的器件變得更加困難。此外，現代處理技術關于半導體器件布局設計施加了更多的限制，這可能導致某些半導體布局設計在金屬氧化物半導體(MOS)器件上消耗大量的面積。因此，需要改進半導體布局設計來克服這樣的限制。

發明內容

在本公開的一方面，一種MOS器件包括第一、第二、第三和第四互連。第一互連在第一方向上在第一軌道上延伸。第一互連被配置在金屬層中。第二互連在第一方向上在第一軌道上延伸。第二互連被配置在金屬層中。第三互連在第一方向上在第二軌道上延伸。第三互連被配置在金屬層中。第二軌道平行于第一軌道。第三互連耦合到第二互連。第二和第三互連被配置為提供第一信號。第四互連在第一方向上在第二軌道上延伸。第四互連被配置在金屬層中。第四互連耦合到第一互連。第一和第四互連被配置為提供不同于第一信號的第二信號。

在本公開的一方面，在MOS器件中，第一信號被傳播通過在第一方向上在第一軌道上延伸的第一互連。第一互連被配置在金屬層中。此外，第二信號被傳播通過在第一方向上在第一軌道上延伸的第二互連。第二互連被配置在金屬層中。第二信號不同于第一信號。此外，第一信號被傳播通過在第一方向上在第二軌道上延伸的第三互連。第三互連被配置在金屬層中。第二軌道平行于第一軌道。第三互連耦合到第二互連。此外，第二信號被傳播通過在第一方向上在第二軌道上延伸的第四互連。第四互連被配置在金屬層中。第四互連耦合到第一互連。

附圖說明

圖1是示出多比特觸發器盤的圖。

圖2是示出單比特觸發器電路的圖。

圖3是MOS器件的示例性布局圖的俯視圖。

圖4是根據本公開的各個方面的MOS器件的示例性布局圖的俯視圖。

圖5是根據本公開的各個方面的MOS器件的示例性布局圖的俯視圖。

圖6是示例性方法的流程圖。

具體實施方式