[發(fā)明專利]金屬氧化物半導(dǎo)體MOS器件在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011284282.4 | 申請日： | 2016-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN112331634A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M·古普塔;陳向東;權(quán)武尚 | 申請（專利權(quán)）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/522 | 分類號： | H01L23/522;H01L23/528;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人： | 呂世磊 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 金屬 氧化物 半導(dǎo)體 mos 器件 | ||
1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體MOS器件，包括：
在第一方向上在第一軌道上延伸的第一互連，所述第一互連被配置在金屬層中；
在所述第一方向上在所述第一軌道上延伸的第二互連，所述第二互連被配置在所述金屬層中；
在所述第一方向上在第二軌道上延伸的第三互連，所述第三互連被配置在所述金屬層中，所述第二軌道平行于所述第一軌道，所述第三互連耦合到所述第二互連，所述第二互連和所述第三互連被配置為提供第一信號；以及
在所述第一方向上在所述第二軌道上延伸的第四互連，所述第四互連被配置在所述金屬層中，所述第四互連耦合到所述第一互連，所述第一互連和所述第四互連被配置為提供不同于所述第一信號的第二信號，
其中所述第一互連和所述第三互連以第一相等長度在第二方向上對齊，其中所述第二互連和所述第四互連以第二相等長度在所述第二方向上對齊，并且其中所述第二方向與所述第一方向正交。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件，其中所述第一互連和所述第二互連在所述第一方向上彼此相鄰，并且所述第三互連和所述第四互連在所述第一方向上彼此相鄰。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件，其中所述第一互連和所述第二互連通過配置第一單個(gè)金屬層互連并且通過施加切割掩模而被形成，并且其中所述第三互連和所述第四互連通過配置第二單個(gè)金屬層互連并且通過施加所述切割掩模而被形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件，還包括：
在第三軌道上延伸的第五互連，所述第三軌道平行于所述第一軌道和所述第二軌道；以及
在第四軌道上延伸的第六互連，所述第四軌道平行于所述第三軌道，
其中所述第五互連耦合到所述第一互連和所述第四互連，并且其中所述第六互連耦合到所述第二互連和所述第三互連。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的MOS器件，其中所述第五互連通過第一組互連耦合到所述第一互連和所述第四互連，所述第一組互連被配置在第二金屬層中并且在所述第二方向上延伸，并且其中所述第六互連通過第二組互連耦合到所述第二互連和所述第三互連，所述第二組互連被配置在所述第二金屬層中并且在所述第二方向上延伸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的MOS器件，還包括：
第一pMOS晶體管，包括第一pMOS晶體管柵極、第一pMOS晶體管源極和第一pMOS晶體管漏極；
第二pMOS晶體管，包括第二pMOS晶體管柵極、第二pMOS晶體管源極和第二pMOS晶體管漏極；
第一nMOS晶體管，包括第一nMOS晶體管柵極、第一nMOS晶體管源極和第一nMOS晶體管漏極；
第二nMOS晶體管，包括第二nMOS晶體管柵極、第二nMOS晶體管源極和第二nMOS晶體管漏極，
其中所述第一pMOS晶體管柵極耦合到所述第一互連，所述第二pMOS晶體管柵極耦合到所述第二互連，所述第一nMOS晶體管柵極耦合到所述第三互連，并且所述第二nMOS晶體管柵極耦合到所述第四互連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOS器件，其中所述第一pMOS晶體管源極和所述第一nMOS晶體管漏極與金屬擴(kuò)散MD層互連耦合在一起，所述金屬擴(kuò)散層互連所述第二方向上延伸。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的MOS器件，還包括在所述金屬層上在所述第一方向上延伸的第五互連，所述第五互連耦合到所述MD層互連，所述第五互連被配置為接收去往所述MOS器件的輸入。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的MOS器件，其中所述第一pMOS晶體管漏極和所述第二pMOS晶體管漏極相同，并且所述第一nMOS晶體管源極和所述第二nMOS晶體管漏極相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的MOS器件，其中所述第一pMOS晶體管漏極和所述第二pMOS晶體管漏極通過金屬擴(kuò)散MD層互連耦合到所述第一nMOS晶體管源極和所述第二nMOS晶體管漏極，所述金屬擴(kuò)散層互連在所述第二方向上延伸。
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