[發(fā)明專利]鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011284043.9 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-17 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112420540A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 梁金娥;馮秦旭;姚道州 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華虹半導(dǎo)體(無(wú)錫)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;G01N21/47 |
| 代理公司: | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 214028 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 互連 層焊盤 窗口 刻蝕 檢測(cè) 方法 | ||
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法。所述鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法包括:提供帶有鋁互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,所述鋁互連結(jié)構(gòu)包括n層鋁層;對(duì)準(zhǔn)所述n層鋁層的第n層,開(kāi)設(shè)焊盤窗口,使得所述焊盤窗口接觸第n層鋁層;通過(guò)光量測(cè)工藝,測(cè)算從所述焊盤窗口處外露的所述第n層鋁層表面m個(gè)量測(cè)點(diǎn)的反射率;若至少一個(gè)測(cè)量點(diǎn)測(cè)算的反射率小于第一閾值,確定所述焊盤窗口未刻蝕干凈;所述第一閾值的反射率為所述鋁層的反射率。本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法,可以解決相關(guān)技術(shù)中的檢測(cè)方法會(huì)破壞晶圓本身且檢測(cè)效率較低的問(wèn)題。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法。
背景技術(shù)
在現(xiàn)代半導(dǎo)體工藝中,隨著芯片集成度的增加和尺寸的減小,芯片引腳間距越來(lái)越細(xì)密化,微電子封裝的精度要求越來(lái)越高,封裝鍵合質(zhì)量及可靠性控制與提升的難度加大。在制作鍵合線前需要刻蝕焊盤窗口,焊盤窗口的刻蝕質(zhì)量至關(guān)重要,一旦出現(xiàn)刻蝕不完全的問(wèn)題,則會(huì)導(dǎo)致鍵合不可靠,因此需要對(duì)焊盤窗口的刻蝕質(zhì)量進(jìn)行檢測(cè)。
相關(guān)技術(shù)在檢測(cè)焊盤窗口刻蝕質(zhì)量時(shí),通常需要對(duì)晶圓進(jìn)行切片,通過(guò)電鏡觀察切口膜層以判斷是否有未刻蝕干凈的情形。
但是相關(guān)技術(shù)檢測(cè)焊盤窗口質(zhì)量的方法不僅會(huì)破壞晶圓本身,且檢測(cè)效率較低。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法,可以解決相關(guān)技術(shù)中的檢測(cè)方法會(huì)破壞晶圓本身且檢測(cè)效率較低的問(wèn)題。
本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法,所述鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法包括:
提供帶有鋁互連結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,所述鋁互連結(jié)構(gòu)包括n層鋁層;
對(duì)準(zhǔn)所述n層鋁層的第n層,開(kāi)設(shè)焊盤窗口,使得所述焊盤窗口接觸第n層鋁層;
通過(guò)光量測(cè)工藝,測(cè)算從所述焊盤窗口處外露的所述第n層鋁層表面m個(gè)量測(cè)點(diǎn)的反射率;
若至少一個(gè)測(cè)量點(diǎn)測(cè)算的反射率小于第一閾值,確定所述焊盤窗口未刻蝕干凈;所述第一閾值的反射率為所述鋁層的反射率。
可選的,所述鋁層的上、下表面設(shè)有含鈦層。
可選的,所述含鈦層的反射率為20%至30%。
可選的,所述第一閾值的范圍為:80%至90%。
可選的,所述鋁層的厚度為7K至9K。
本申請(qǐng)技術(shù)方案,至少包括如下優(yōu)點(diǎn):本申請(qǐng)通過(guò)光量測(cè)工藝,測(cè)算從所述焊盤窗口處外露的所述第n層鋁層表面m個(gè)量測(cè)點(diǎn)的反射率,若至少一個(gè)測(cè)量點(diǎn)測(cè)算的反射率小于第一閾值,確定所述焊盤窗口未刻蝕干凈,否則焊盤窗口刻蝕干凈,可以提高檢測(cè)效率的同時(shí)避免對(duì)晶圓本省造成破壞。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1示出了本申請(qǐng)一實(shí)施例提供的鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測(cè)方法流程圖;
圖2示出了所提供帶有鋁互聯(lián)層的半導(dǎo)體器件剖視結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3示出了本申請(qǐng)步驟S2完成后的器件剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





