[發明專利]鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測方法

在審

• 申請號: 202011284043.9
• 申請日: 2020-11-17
• 公開（公告）號: CN112420540A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 梁金娥;馮秦旭;姚道州
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N21/47
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測方法，其特征在于，所述鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測方法包括：

提供帶有鋁互連結構的半導體器件，所述鋁互連結構包括n層鋁層；

對準所述n層鋁層的第n層，開設焊盤窗口，使得所述焊盤窗口接觸第n層鋁層；

通過光量測工藝，測算從所述焊盤窗口處外露的所述第n層鋁層表面m個量測點的反射率；

若至少一個測量點測算的反射率小于第一閾值，確定所述焊盤窗口未刻蝕干凈；所述第一閾值的反射率為所述鋁層的反射率。

2.如權利要求1所述的鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測方法，其特征在于，所述鋁層的上、下表面設有含鈦層。

3.如權利要求1所述的鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測方法，其特征在于，所述含鈦層的反射率為20％至30％。

4.如權利要求1所述的鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測方法，其特征在于，所述第一閾值的范圍為：80％至90％。

5.如權利要求1所述的鋁互連層焊盤窗口刻蝕檢測方法，其特征在于，所述鋁層的厚度為7K至9K。