[發(fā)明專利]一種有機(jī)半導(dǎo)體晶體的多溫區(qū)化學(xué)氣相沉積裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011281315.X
• 申請(qǐng)日: 2020-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN112391609B
• 公開（公告）日: 2023-03-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎志欣;徐永勝;王爽;李歡;李陽(yáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 連城凱克斯科技有限公司
• 主分類號(hào): C23C16/44
• 分類號(hào): C23C16/44;C30B29/54;C30B25/00;C30B28/14
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本發(fā)明屬于氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種有機(jī)半導(dǎo)體晶體的多溫區(qū)化學(xué)氣相沉積裝置，針對(duì)現(xiàn)有的有機(jī)半導(dǎo)體晶體的多溫區(qū)化學(xué)氣相沉積裝置存在著無法讓兩種反應(yīng)氣體進(jìn)行充分的反應(yīng)，也就是不能讓兩種氣體在反應(yīng)筒內(nèi)部進(jìn)行充分的接觸，從而導(dǎo)致材料的生產(chǎn)質(zhì)量較差的問題，現(xiàn)提出以下方案，包括工作臺(tái)，所述工作臺(tái)的頂部外壁通過螺栓固定有安裝板，所述安裝板一側(cè)外壁的頂部外壁與底部分別開有第一固定孔和第二固定孔。本發(fā)明減壓箱通過散氣板和散氣管可以在減壓箱內(nèi)部形成快速流動(dòng)的氣流，此時(shí)氣流的附近會(huì)形成一個(gè)低壓區(qū)域，因此反應(yīng)中的兩種氣體會(huì)朝著低壓區(qū)域的襯底架附近移動(dòng)，進(jìn)而可以增強(qiáng)氣體的沉積能力。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氣相沉積技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機(jī)半導(dǎo)體晶體的多溫區(qū)化學(xué)氣相沉積裝置。

背景技術(shù)

化學(xué)氣相沉積(CVD)是指化學(xué)氣體或蒸汽在基質(zhì)表面反應(yīng)合成涂層或納米材料的方法，是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術(shù)，包括大范圍的絕緣材料，大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡(jiǎn)單的：兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi)，然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。沉積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子，它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。

現(xiàn)有的有機(jī)半導(dǎo)體晶體的多溫區(qū)化學(xué)氣相沉積裝置還存在有以下不足之處：雖然目前的氣相沉積技術(shù)已經(jīng)是比較完善了，但是還是存在著無法讓兩種反應(yīng)氣體進(jìn)行充分的反應(yīng)，也就是不能讓兩種氣體在反應(yīng)筒內(nèi)部進(jìn)行充分的接觸，從而導(dǎo)致材料的生產(chǎn)質(zhì)量較差。

發(fā)明內(nèi)容

基于背景技術(shù)中提出的技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種有機(jī)半導(dǎo)體晶體的多溫區(qū)化學(xué)氣相沉積裝置。

本發(fā)明提出的一種有機(jī)半導(dǎo)體晶體的多溫區(qū)化學(xué)氣相沉積裝置，包括工作臺(tái)，所述工作臺(tái)的頂部外壁通過螺栓固定有安裝板，所述安裝板一側(cè)外壁的頂部外壁與底部分別開有第一固定孔和第二固定孔，且第一固定孔的內(nèi)壁插接有第一進(jìn)氣管，所述第二固定孔的內(nèi)壁插接有第二進(jìn)氣管，所述安裝板一側(cè)外壁通過螺栓固定有反應(yīng)筒，所述反應(yīng)筒的內(nèi)壁通過螺栓固定有安裝環(huán)，所述安裝環(huán)的內(nèi)壁通過螺栓固定有等距離分布的固定桿，所述固定桿的一端通過螺栓固定有連接板，所述連接板的一側(cè)外壁通過軸承連接有轉(zhuǎn)桿，所述轉(zhuǎn)桿的外壁分別通過螺栓固定有等距離分布的加速板和煽動(dòng)板，所述反應(yīng)筒的內(nèi)壁通過螺栓固定有襯底架，所述襯底架的頂部外壁開有等距離分布的通風(fēng)孔，且反應(yīng)筒的外壁通過固定有減壓箱，所述減壓箱的一側(cè)外壁通過螺栓固定有吸氣泵，所述吸氣泵的輸入端套接有吸氣斗，所述減壓箱的一側(cè)內(nèi)壁通過螺栓固定有散氣板，所述散氣板的一側(cè)外壁開有等距離分布的插接孔，所述插接孔的內(nèi)壁插接有等距離分布的散氣管，所述散氣管和通風(fēng)孔配合使用。

優(yōu)選地，所述襯底架的頂部外壁通過螺栓固定有等距離分布的襯底，且襯底和煽動(dòng)板配合使用。

優(yōu)選地，所述反應(yīng)筒的頂部外壁通過螺栓固定有加熱箱，且加熱箱的底部外壁與反應(yīng)筒的內(nèi)部相通，減壓箱的一側(cè)外壁通過螺栓固定有出氣板。

優(yōu)選地，所述反應(yīng)筒的底部外壁開有安裝孔，且安裝孔的內(nèi)壁通過螺栓固定有連接管，連接管的一端通過螺栓固定有回收箱。

優(yōu)選地，所述回收箱的一邊外壁開有滑槽，且滑槽的內(nèi)壁通過螺栓固定有滑軌，滑軌的內(nèi)壁滑動(dòng)連接有回收抽屜。

優(yōu)選地，所述反應(yīng)筒外壁的兩側(cè)均通過螺栓固定有固定環(huán)，且固定環(huán)的外壁通過螺栓固定有安裝桿，安裝桿的一端通過螺栓固定于工作臺(tái)的頂部外壁。

優(yōu)選地，所述加速板的形狀設(shè)置為S形，且加速板可以對(duì)氣體形成漩渦加速效果。

優(yōu)選地，所述反應(yīng)筒的一側(cè)外壁通過螺栓固定有過濾箱，且過濾箱的頂部外壁開有等距離分布的排氣孔，排氣孔的內(nèi)壁插接有排氣筒。

本發(fā)明中的有益效果為：