[發明專利]上電極組件及半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202011280862.6
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112397370A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 聶淼
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發明公開一種上電極組件及半導體工藝設備，該上電極組件用于半導體工藝設備饋入射頻能量。所公開的上電極組件包括射頻連接部、線圈連接部和導向套，導向套具有相背設置的第一端面和第二端面，第二端面開設有向導向套的內部延伸的安裝空間，安裝空間內設有多個定位空間，每個線圈連接部對應設置于一個定位空間內，相鄰的兩個線圈連接部間隔排布；第一端面開設有插接通道和連通空間，插接通道向導向套的內部延伸并與定位空間連通，插接通道與安裝空間一一對應設置，射頻連接部穿設于插接通道內，并與線圈連接部相連接；連通空間向導向套的內部延伸并與安裝空間連通。上述方案能夠降低耦合線圈內由于設置有導向套而存在的尖端放電風險。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，尤其涉及一種射頻接線結構及半導體工藝設備。

背景技術

在半導體晶片的加工領域中，等離子體設備是利用等離子體實現對晶片的刻蝕、氣相沉積等處理，在具體的處理過程中，需要通過射頻系統向工藝腔室中施加電場來產生等離子體。相關的射頻系統包括射頻電源、匹配器和耦合線圈，射頻電源與匹配器電連接，匹配器通過射頻連接部與耦合線圈的線圈連接部實現導通，如此，耦合線圈可產生感應耦合作用，進而在工藝腔室內產生感應耦合等離子體，以對晶片進行工藝處理。

目前，射頻連接部通常插接于線圈連接部中，通常線圈連接部上套設有導向套，射頻連接部可通過導向套上的導向孔與線圈連接部實現對準。導向套的存在相當于在兩個射頻連接部之間增加了絕緣介質，而絕緣介質的介電常數通常遠大于空氣的介電常數，因此引入了絕緣介質會顯著地增大相鄰兩個線圈連接部相對側的電場強度，進而會存在較大的尖端放電風險。

發明內容

本發明公開一種上電極組件及半導體工藝設備，以降低耦合線圈內由于設置有導向套而存在的尖端放電風險。

為了解決上述問題，本發明采用下述技術方案：

第一方面，本發明提供一種上電極組件，用于半導體工藝設備饋入射頻能量。所述上電極組件包括射頻連接部、線圈連接部和導向套，所述導向套具有相背設置的第一端面和第二端面，第二端面開設有向所述導向套的內部延伸的安裝空間，所述安裝空間內設有多個定位空間，每個所述線圈連接部對應設置于一個所述定位空間內，相鄰的兩個所述線圈連接部間隔排布；

所述第一端面開設有插接通道和連通空間，所述插接通道向所述導向套的內部延伸并與所述定位空間連通，所述插接通道與所述安裝空間一一對應設置，所述射頻連接部穿設于所述插接通道內，并與所述線圈連接部相連接；所述連通空間向所述導向套的內部延伸并與所述安裝空間連通，且相鄰的兩個所述插接通道被所述連通空間連通。

第二方面，本發明提供一種半導體工藝設備，其包括反應腔室和前述的上電極組件，所述上電極組件設置于所述反應腔室的頂部。

本發明采用的技術方案能夠達到以下有益效果：

在本發明公開的上電極組件中，導向套的安裝空間內設置有多個定位空間，如此導向套內就能夠設置多個線圈連接部，多個線圈連接部可與插接入插接通道的多個射頻連接部導通；同時，相鄰的兩個插接通道被連通空間連通，基于連通空間的存在，相當于減少了相鄰兩個射頻連接部之間的絕緣介質，由于空氣的介電常數較小，因此能夠有效減小相鄰兩個射頻連接部相對的電場強度，進而降低尖端放電的風險。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1為本發明實施例公開的射頻接線結構的結構示意圖；

圖2為本發明實施例公開的導向套的軸測圖；

圖3為本發明實施例公開的導向套的剖視圖；

圖4和圖5分別為本發明實施例公開的導向套在俯視和仰視兩個視角下的結構示意圖；