[發明專利]上電極組件及半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202011280862.6
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112397370A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 聶淼
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

1.一種上電極組件，用于半導體工藝設備饋入射頻能量，其特征在于，所述上電極組件包括：

射頻連接部(100)、線圈連接部(200)和導向套(300)，所述導向套(300)具有相背設置的第一端面(310)和第二端面(320)，第二端面(320)開設有向所述導向套(300)的內部延伸的安裝空間(330)，所述安裝空間(330)內設有多個定位空間(370)，每個所述線圈連接部(200)對應設置于一個所述定位空間(370)內，相鄰的兩個所述線圈連接部(200)間隔排布；

所述第一端面(310)開設有插接通道(350)和連通空間(380)，所述插接通道(350)向所述導向套(300)的內部延伸并與所述定位空間(370)連通，所述插接通道(350)與所述定位空間(370)一一對應設置，所述射頻連接部(100)穿設于所述插接通道(350)內，并與所述線圈連接部(200)相連接；所述連通空間(380)向所述導向套(300)的內部延伸并與所述安裝空間(330)連通，且相鄰的兩個所述插接通道(350)被所述連通空間(380)連通。

2.根據權利要求1所述的上電極組件，其特征在于，所述安裝空間(330)內設置有定位部(360)，相鄰的兩個所述插接通道(350)之間均設置有所述定位部(360)，所述連通空間(380)貫通所述定位部(360)而與所述安裝空間(330)連通；所述定位部(360)的外側面與所述導向套(300)的內側面共同形成所述定位空間(370)，所述定位空間(370)與所述線圈連接部(200)相匹配，所述線圈連接部(200)可插接配合于所述定位空間(370)。

3.根據權利要求2所述的上電極組件，其特征在于，所述定位部(360)設置于所述安裝空間(330)的內底面上。

4.根據權利要求1所述的上電極組件，其特征在于，所述插接通道(350)在靠近所述第一端面(310)的一側設置有內倒角(351)。

5.根據權利要求4所述的上電極組件，其特征在于，所述內倒角(351)與所述第一端面(310)之間、所述內倒角(351)與所述插接通道(350)的內側面之間、所述插接通道(350)的內側面與所述安裝空間(330)的內底面之間均通過圓角過渡。

6.根據權利要求1所述的上電極組件，其特征在于，所述插接通道(350)為圓孔，所述連通空間(380)的寬度尺寸為所述插接通道(350)的直徑的一半。

7.根據權利要求1所述的上電極組件，其特征在于，在一個所述導向套(300)內，所述射頻連接部(100)和所述線圈連接部(200)均為兩個，且所述導向套(300)在其內部形成兩個所述插接通道(350)。

8.根據權利要求1-9中任一項所述的上電極組件，其特征在于，所述射頻連接部(100)與所述線圈連接部(200)插接配合。

9.根據權利要求8所述的上電極組件，其特征在于，所述線圈連接部(200)朝向所述射頻連接部(100)的一端設置有插槽(210)，所述射頻連接部(100)可插接配合于所述插槽(210)。

10.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括反應腔室和權利要求1至9中任一項所述的上電極組件，所述上電極組件設置于所述反應腔室的頂部。