[發(fā)明專利]一種液態(tài)源存儲系統(tǒng)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011280787.3
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112538615A
• 公開（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設計）人: 張明
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/448;C23C16/52
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

本發(fā)明公開了一種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，包括存儲罐體、壓力檢測器和壓力調(diào)節(jié)器。本技術方案通過增設了壓力檢測結(jié)構(gòu)和壓力調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)，能夠根據(jù)實時檢測得到的腔體壓強進行適應性精準調(diào)節(jié)，穩(wěn)定控制前驅(qū)體材料對于反應腔室的穩(wěn)定注入，進而保障反應腔室中薄膜制備的均勻性和可靠性。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體晶圓制備技術領域，尤其涉及一種液態(tài)源存儲系統(tǒng)。

背景技術

現(xiàn)有技術中，常常將液態(tài)源前驅(qū)體加熱使其氣化，在惰性氣體的推動下進入反應腔室，參與薄膜制備。

以原子層沉積(ALD)方法為例，普遍采用雙(二甲基氨基)二乙基硅烷(C₈H₂₂N₂Si，簡稱SAM24)作為前驅(qū)體材料以沉積含硅薄膜，由于SAM24的物理特性，其在溫度低于30℃時處于液態(tài)狀態(tài)，在溫度高于50℃時將緩慢氣化，原子層沉積設備在反應腔室導入前驅(qū)體材料時一般設計采用惰性氣體作為載氣引入氣態(tài)SAM24。

前驅(qū)體材料在存儲罐中由液態(tài)變?yōu)闅鈶B(tài)，并隨載氣進入反應腔室，由于存儲罐中前驅(qū)體受外部溫度的影響，氣態(tài)前驅(qū)體材料的壓強在各個階段各有不同，由此進入反應腔室時，參與反應的氣態(tài)前驅(qū)體并不穩(wěn)定，由此造成制備的薄膜不均勻。

發(fā)明內(nèi)容

針對現(xiàn)有技術中存在的上述問題，現(xiàn)提供一種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，具體技術方案如下所示：

一種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，應用于原子層沉積設備中，包括：

存儲罐體，用于存儲原子層沉積所需的前驅(qū)體材料；

壓力檢測器，用于持續(xù)檢測存儲罐體的內(nèi)部壓強；

壓力調(diào)節(jié)器，電連接壓力檢測器，用于根據(jù)壓強，當壓強大于等于一第一預設閾值時，對存儲罐體的內(nèi)部進行泄壓直至內(nèi)部壓強小于第一預設閾值；及

當壓強小于等于一第二預設閾值時，對存儲罐體的內(nèi)部進行增壓直至內(nèi)部壓強大于第二預設閾值。

優(yōu)選的，該種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，其中液態(tài)源存儲系統(tǒng)還包括；

第一單向管道，第一單向管道的一端連接一惰性氣體源，另一端連接存儲罐體，惰性氣體源對應的惰性氣體通過第一單向管道進入存儲罐體；

第二單向管道，第二單向管道的一端連接存儲罐體，另一端連接一反應腔室。

優(yōu)選的，該種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，其中第一單向管道包括一第一阻通閥；

第二單向管道包括一第二阻通閥。

優(yōu)選的，該種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，其中第一單向管道通過一第三單向管道連通第二單向管道；

第三單向管道的一端設置于第一阻通閥和惰性氣體源之間，第三單向管道的另一端設置于第二阻通閥和反應腔室之間；

第三單向管道包括一第三阻通閥。

優(yōu)選的，該種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，其中壓力調(diào)節(jié)器包括一第四單向管道和一第五單向管道；

第四單向管道的一端連接惰性氣體源，另一端連接存儲罐體，通過導入惰性氣體對存儲罐體的內(nèi)部進行增壓；

第五單向管道的一端連接存儲罐體，另一端連接一尾氣處理裝置。

優(yōu)選的，該種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，其中第四單向管道和第五單向管道分別包括一電控閥門；

液態(tài)源存儲系統(tǒng)還包括一控制器，控制器分別連接每個電控閥門和壓力檢測器，根據(jù)壓強控制電控閥門的開合。

優(yōu)選的，該種液態(tài)源存儲系統(tǒng)，其中存儲罐體的外部設置有一加熱裝置，用于加熱前驅(qū)體材料。