[發明專利]顯示面板

在審

• 申請號: 202011279367.3
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112420749A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 彭浩;樸宇成;何家慶
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

本發明提供了一種顯示面板，所述顯示面板包括低溫多晶硅型薄膜晶體管以及金屬氧化物型薄膜晶體管，所述低溫多晶硅型薄膜晶體管以及金屬氧化物型薄膜晶體管中配置于多層絕緣層中，在所述多層絕緣層中形成有第一凹槽，所述第一凹槽的上表面覆蓋有金屬阻隔層，形成的所述金屬阻隔層相較無機絕緣層，可更好地阻隔鄰近膜層中離子滲透，或者外部光照等易對金屬氧化物有源層造成干擾的因子，使得金屬氧化物型薄膜晶體管保持性能穩定，從而避免了相關的顯示異常發生。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種顯示面板。

背景技術

近年來的顯示方案中，有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)由于其高對比度，高亮度，鮮艷色彩等特點被越來越多廠商青睞，同時也促進OLED技術在顯示領域得到了大幅的發展。但是隨著移動設備和可穿戴顯示方案發展及目前電池高能量密度方案暫無關鍵性突破的前提下，使得人們對顯示設備功耗要求越來越高。目前OLED小尺寸的主要兩大背板技術是低溫多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)和氧化物半導體(Oxide)，但是由于Oxide正面均一性較難控制，而LTPS載流子遷移率較大，存在漏電流較高的問題，因此低溫多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline-Si Oxide，LTPO)技術應運而生。它結合了LTPS和Oxide(如銦鎵鋅氧化物，IGZO)兩者的優異點，形成了一種響應速度快，功耗更低的技術方案。

在LTPO方案中，由于Oxide器件是十分敏感的半導體器件，在被鄰近膜層中離子滲透，或者受到外部光照后都將使Oxide器件發生相應地變化，影響器件電性，導致產品顯示異常。同時現在移動設備與穿戴方案中OLED顯示屏均存在需要折疊，卷曲，等使用場景，LTPO器件由于使用兩層有源層，為隔絕相互影響使用多層無機層，需要優化結構方案提升其彎折特性。

發明內容

本發明提供一種顯示面板，為基于LTPO型背板的顯示面板，可有效解決因氧化物半導體器件自身性能敏感易受環境影響而造成顯示異常的問題。

為解決上述問題，第一方面，本發明提供一種顯示面板，所述顯示面板包括低溫多晶硅型薄膜晶體管以及金屬氧化物型薄膜晶體管，所述低溫多晶硅型薄膜晶體管以及金屬氧化物型薄膜晶體管中配置于多層絕緣層中，在所述多層絕緣層中形成有第一凹槽，所述第一凹槽的上表面覆蓋有金屬阻隔層。

進一步地，所述金屬阻隔層保形地覆蓋于所述第一凹槽開口周圍的絕緣層、第一凹槽的內壁及底面，所述金屬阻隔層對應所述第一凹槽的部分形成第二凹槽，所述第二凹槽被有機層完全填充。

進一步地，所述第一凹槽完全貫穿或部分貫穿于所述多層絕緣層中。

進一步地，所述低溫多晶硅型薄膜晶體管以及金屬氧化物型薄膜晶體管包括：

低溫多晶硅有源層；

第一絕緣層，設于所述低溫多晶硅有源層上；

第一金屬層，設于所述第一絕緣層上，包括第一柵極；

第二絕緣層，設于所述第一金屬層上；

金屬氧化物有源層，設于所述第二絕緣層上；

第三絕緣層，設于所述金屬氧化物有源層上；

第二金屬層，設于所述第三絕緣層上，包括第二柵極；

第四絕緣層，設于所述第二金屬層上；以及