[發明專利]顯示面板

在審

• 申請號: 202011279367.3
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112420749A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 彭浩;樸宇成;何家慶
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括低溫多晶硅型薄膜晶體管以及金屬氧化物型薄膜晶體管，所述低溫多晶硅型薄膜晶體管以及金屬氧化物型薄膜晶體管中配置于多層絕緣層中，在所述多層絕緣層中形成有第一凹槽，所述第一凹槽的上表面覆蓋有金屬阻隔層。

2.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述金屬阻隔層保形地覆蓋于所述第一凹槽開口周圍的絕緣層、第一凹槽的內壁及底面，所述金屬阻隔層對應所述第一凹槽的部分形成第二凹槽，所述第二凹槽被有機層完全填充。

3.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一凹槽完全貫穿或部分貫穿于所述多層絕緣層中。

4.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述低溫多晶硅型薄膜晶體管以及金屬氧化物型薄膜晶體管包括：

低溫多晶硅有源層；

第一絕緣層，設于所述低溫多晶硅有源層上；

第一金屬層，設于所述第一絕緣層上，包括第一柵極；

第二絕緣層，設于所述第一金屬層上；

金屬氧化物有源層，設于所述第二絕緣層上；

第三絕緣層，設于所述金屬氧化物有源層上；

第二金屬層，設于所述第三絕緣層上，包括第二柵極；

第四絕緣層，設于所述第二金屬層上；以及

第三金屬層，設于所述第四絕緣層上，包括第一源漏電極、第二源漏電極以及所述金屬阻隔層，所述第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層以及第四絕緣層中形成有第一接觸孔，所述第一源漏電極通過所述第一接觸孔與所述低溫多晶硅有源層電性連接，所述第三絕緣層以及第四絕緣層中形成有第二接觸孔，所述第二源漏電極通過所述第二接觸孔與所述金屬氧化物有源層電性連接。

5.如權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述第一凹槽開設于僅形成有所述第一絕緣層、第二絕緣層、第三絕緣層以及第四絕緣層的區域。

6.如權利要求5所述的顯示面板，其特征在于，所述第一金屬層包括多條相互平行的第一金屬走線，所述第二金屬層包括與多條所述的第一金屬走線交替且平行設置的多條第二金屬走線，所述第一凹槽開設于所述多條的第一金屬走線與多條第二金屬走線的間隔區域，且與所述低溫多晶硅有源層或所述金屬氧化物有源層相鄰。

7.如權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述第一凹槽與所述第一接觸孔經同一曝光蝕刻圖案化工藝形成。

8.如權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板還包括設于所述第三金屬層上的有機平坦層，所述有機平坦層填充于所述第二凹槽中。

9.如權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，在所述第二絕緣層與所述金屬氧化物有源層之間，還設有電性改善層以及設于所述電性改善層上的第五絕緣層，所述電性改善層包括與所述第一柵極對應設置的第一電性改善部以及與所述金屬氧化物有源層對應設置的第二電性改善部。

10.如權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括彎折區，以及至少一個與所述彎折區相接的非彎折區，所述第一凹槽對應地設置于所述彎折區。