[發明專利]一種PVT法氮化鋁晶體生長用坩堝材料的制備方法有效
| 申請號： | 202011279357.X | 申請日： | 2020-11-16 |
| 公開（公告）號： | CN112387974B | 公開（公告）日： | 2023-03-17 |
| 發明（設計）人： | 請求不公布姓名 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | B22F5/10 | 分類號： | B22F5/10;B22F3/04;B22F3/14;C22C29/02;C30B23/00;C30B29/40;C04B35/56;C04B35/622 |
| 代理公司： | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 趙君 |
| 地址： | 150000 黑龍江省哈爾濱市南崗區*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 pvt 氮化 晶體生長 坩堝 材料 制備 方法 | ||
1.一種PVT法氮化鋁晶體生長用坩堝材料的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：
步驟1、按照重量份數分別稱量一定質量的碳化鉭粉、鎢粉、氧化釔粉，待用；
步驟2、將稱量好的碳化鉭粉、鎢粉、氧化釔粉加入三維振動混合器中，混合均勻后，得到混合粉體，待用；
步驟3、將步驟2得到的混合粉體加入聚氯乙烯坩堝模具，通過冷等靜壓，壓制成型，得到成型后的坩堝材料，待用；
步驟4、將步驟3得到的成型后的坩堝材料，置于熱壓燒結爐內抽真空后，在20～30MPa的壓力下，進行燒結處理，得到燒結后的坩堝材料，待用；
步驟5、將步驟4得到的燒結后的坩堝材料用車床或線切割進行加工成型，得到加工成型的坩堝材料，待用；
步驟6、將步驟5加工成型的坩堝材料置于真空燒結爐內，抽真空后，進行燒結處理，得到所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長用坩堝材料；
其中步驟1中碳化鉭粉的重量份數為100份、鎢粉的重量份數為1～5份、氧化釔粉的重量份數為0.1～0.5份；
步驟4中燒結處理為分步燒結處理，首先以3℃/min的升溫速率將溫度升至1100～1200℃，然后以1℃/min的升溫速率加熱至1800～1950℃，然后保溫2～8h，然后以0.5℃/min的降溫速率降至1250℃，保持2h后，再以2.5℃/min的降溫速率降至室溫；
步驟6中燒結處理以1℃/min的升溫速率將溫度升至2000℃，然后保溫3～8h，然后以0.5℃/min的降溫速率降至室溫。
2.根據權利要求1所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長用坩堝材料的制備方法，其特征在于：步驟1中所述的碳化鉭粉的粒徑為0.9～1.0μm，純度為99.999～99.9999％，所述的鎢粉的粒徑為0.5～1.0μm，純度為99.999～99.9999％。
3.根據權利要求1所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長用坩堝材料的制備方法，其特征在于：步驟2中混合時間為10～15h。
4.根據權利要求1所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長用坩堝材料的制備方法，其特征在于：步驟3中冷等靜壓的平均壓力為200～300MPa，壓制時間10～20min。
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