[發(fā)明專利]磁阻位移測量裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011279095.7
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN114508993A
• 公開（公告）日: 2022-05-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梅輝;安德里亞斯·沃斯;楊峰
• 申請（專利權(quán)）人: 精量電子（深圳）有限公司;泰連傳感器德國有限公司
• 主分類號: G01B7/02
• 分類號: G01B7/02
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 汪洋

1.一種磁阻位移測量裝置，其特征在于，包括：

一個磁性標(biāo)尺(20)，可沿其長度方向移動；和

多個磁阻傳感器(10)，沿所述磁性標(biāo)尺(20)的長度方向均勻間隔分布，用于檢測所述磁性標(biāo)尺(20)的位移，

所述多個磁阻傳感器(10)串聯(lián)電連接，并且相鄰兩個磁阻傳感器(10)之間的間距等于所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁阻傳感器(10)的數(shù)量為N個，并且N為大于或等于2的正整數(shù)；

所述磁性標(biāo)尺(20)在其長度方向上的行程S等于所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H的N倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁阻傳感器(10)的數(shù)量為2個，并且所述磁性標(biāo)尺(20)在其長度方向上的行程S等于所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H的2倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁阻傳感器(10)的數(shù)量為3個，并且所述磁性標(biāo)尺(20)在其長度方向上的行程S等于所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H的3倍。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁阻傳感器(10)的數(shù)量為4個，并且所述磁性標(biāo)尺(20)在其長度方向上的行程S等于所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H的4倍。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：所述磁性標(biāo)尺(20)可沿其長度方向在一個安裝空間中移動。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

當(dāng)所述安裝空間在所述磁性標(biāo)尺(20)的長度方向上的尺寸等于L時，

所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H被設(shè)計成等于L*1/(N+1)，所述磁性標(biāo)尺(20)的行程S被設(shè)計成等于L*N/(N+1)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁阻傳感器(10)的數(shù)量為2個，所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H被設(shè)計成等于L*1/3，所述磁性標(biāo)尺(20)的行程S被設(shè)計成等于L*2/3。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁阻傳感器(10)的數(shù)量為3個，所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H被設(shè)計成等于L*1/4，所述磁性標(biāo)尺(20)的行程S被設(shè)計成等于L*3/4。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁阻傳感器(10)的數(shù)量為4個，所述磁性標(biāo)尺(20)的長度H被設(shè)計成等于L*1/5，所述磁性標(biāo)尺(20)的行程S被設(shè)計成等于L*4/5。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述安裝空間在所述磁性標(biāo)尺(20)的長度方向上的尺寸L被所述N個磁阻傳感器(10)等分成N+1等份。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

每個磁阻傳感器(10)具有一個第一輸出端(1)和一個第二輸出端(2)，并且相鄰兩個磁阻傳感器(10)中的一個的第一輸出端(1)與另一個的第二輸出端(2)電連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁性標(biāo)尺(20)包括由非導(dǎo)磁材料制成的基體(21)和形成在所述基體(21)上的多個磁性體(22)，所述多個磁性體(22)沿所述磁性標(biāo)尺(20)的長度方向均勻間隔分布。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

所述磁性體(22)為涂敷、化學(xué)沉積或電鍍在所述基體(21)上的矩形磁性膜。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁阻位移測量裝置，其特征在于：

當(dāng)所述磁性標(biāo)尺(20)相對于所述磁阻傳感器(10)移動時，所述磁阻傳感器(10)與所述磁性標(biāo)尺(20)之間的磁場強(qiáng)度會發(fā)生周期性變化；

所述磁阻傳感器(10)中的磁敏電阻的阻值隨所述磁場強(qiáng)度周期性變化，從而可根據(jù)所述磁敏電阻的阻值的周期性變化信號計算出所述磁性標(biāo)尺(20)的位移量。