[發明專利]垂直存儲器裝置

在審

• 申請號: 202011278401.5
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN113013176A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 金東煥;孫榮晥;姜信煥;韓智勳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11575
• 分類號: H01L27/11575;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;薛義丹

公開了一種垂直存儲器裝置。所述垂直存儲器裝置包括柵電極、溝道、第一導電貫穿過孔和絕緣結構。柵電極在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此間隔開，并且可以以階梯形狀堆疊。溝道沿第一方向延伸穿過柵電極。第一導電貫穿過孔延伸穿過柵電極之中的第一柵電極的導電墊并且與該導電墊電連接。第一導電貫穿過孔延伸穿過柵電極之中的在第一柵電極下的第二柵電極。絕緣結構形成在第一導電貫穿過孔與第二柵電極中的每個的側壁之間，并且使第一導電貫穿過孔與第二柵電極中的每個電絕緣。

要求于2019年12月19日在韓國知識產權局(KIPO)提交的第10-2019-0171208號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的全部內容通過引用包含于此。

技術領域

本公開涉及一種垂直存儲器裝置。

背景技術

在VNAND閃存裝置中，接觸基底的墊區域的對應的柵電極的接觸插塞有時也可以通過穿通來接觸下面的柵電極。這可能導致柵電極與對應的(多個)下面的柵電極之間的電短路。因此，需要一種防止這種電短路的方法。

發明內容

發明構思的實施例提供了一種具有改善的電特性的垂直存儲器裝置。

發明構思的實施例提供了一種垂直存儲器裝置。垂直存儲器裝置可以包括柵電極、溝道、第一導電貫穿過孔和絕緣結構。柵電極可以在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此間隔開，并且可以以階梯形狀堆疊。溝道可以沿第一方向延伸穿過柵電極。第一導電貫穿過孔可以延伸穿過柵電極之中的第一柵電極的導電墊并且與該導電墊電連接。第一導電貫穿過孔可以延伸穿過柵電極之中的設置在第一柵電極下的第二柵電極。絕緣結構可以形成在第一導電貫穿過孔與第二柵電極中的每個的面對第一導電貫穿過孔的側壁之間，并且使第一導電貫穿過孔與第二柵電極中的每個電絕緣。

發明構思的實施例還提供了一種垂直存儲器裝置。垂直存儲器裝置可以包括柵電極、溝道以及第一導電貫穿過孔至第三導電貫穿過孔。柵電極可以在基底的第一區域和第二區域上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此間隔開。基底包括第一區域和第二區域以及第三區域，并且柵電極可以在基底的第二區域上具有階梯形狀。溝道可以在基底的第一區域上沿第一方向延伸穿過柵電極。第一導電貫穿過孔可以在基底的第二區域上延伸穿過柵電極中的一些柵電極，第一導電貫穿過孔電連接到柵電極中的所述一些柵電極中的處于最上面的水平的第一柵電極，并且第一導電貫穿過孔可以與柵電極中的所述一些柵電極之中的在第一柵電極下的第二柵電極電絕緣。第二導電貫穿過孔可以在基底的第三區域上與第一導電貫穿過孔形成在同一水平處。第三導電貫穿過孔可以在基底的第一區域上與第一導電貫穿過孔形成在同一水平處，并且可以延伸穿過柵電極并與柵電極電絕緣。第一導電貫穿過孔至第三導電貫穿過孔可以具有相同的寬度。第一導電貫穿過孔至第三導電貫穿過孔中的每個可以包括豎直部分和斜坡部分，豎直部分沿第一方向延伸，斜坡部分具有從斜坡部分的底部朝向斜坡部分的頂部逐漸增大的寬度。

發明構思的實施例再提供了一種垂直存儲器裝置。垂直存儲器裝置可以包括柵電極、溝道和第一導電貫穿過孔。柵電極可以在基底上沿基本垂直于基底的上表面的第一方向彼此間隔開，并且可以以階梯形狀堆疊。溝道可以沿第一方向延伸穿過柵電極。第一導電貫穿過孔可以在基底上延伸穿過柵電極中的一些柵電極，并且可以延伸穿過柵電極中的所述一些柵電極中的處于最上面的水平的第一柵電極的導電墊且電連接到該導電墊。第一導電貫穿過孔可以與柵電極中的所述一些柵電極的在第一柵電極下的第二柵電極電絕緣。第一導電貫穿過孔可以包括豎直部分、突出部分和斜坡部分，豎直部分沿第一方向延伸，突出部分在基本平行于基底的上表面的水平方向上從豎直部分突出，斜坡部分位于豎直部分上，具有從斜坡部分的底部朝向斜坡部分的頂部逐漸增大的寬度。