[發明專利]垂直存儲器裝置

在審

• 申請號: 202011278401.5
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN113013176A
• 公開（公告）日: 2021-06-22
• 發明（設計）人: 金東煥;孫榮晥;姜信煥;韓智勳
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11575
• 分類號: H01L27/11575;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張逍遙;薛義丹

1.一種垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置包括：

柵電極，在基底上沿第一方向彼此間隔開，第一方向垂直于基底的上表面，并且柵電極以階梯形狀堆疊；

溝道，沿第一方向延伸穿過柵電極；

第一導電貫穿過孔，延伸穿過柵電極之中的第一柵電極的導電墊并且電連接到該導電墊，第一導電貫穿過孔延伸穿過柵電極之中的設置在第一柵電極下的第二柵電極；以及

絕緣結構，位于第一導電貫穿過孔與第二柵電極中的每個的面對第一導電貫穿過孔的側壁之間，絕緣結構使第一導電貫穿過孔與第二柵電極中的每個電絕緣。

2.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，第一導電貫穿過孔包括：

豎直部分，沿第一方向延伸；以及

突出部分，在平行于基底的上表面的水平方向上從豎直部分突出，并且

其中，突出部分接觸第一柵電極的導電墊的側壁。

3.根據權利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，第一導電貫穿過孔還包括位于豎直部分上的斜坡部分，斜坡部分具有從斜坡部分的底部朝向斜坡部分的頂部逐漸增大的寬度。

4.根據權利要求2所述的垂直存儲器裝置，其中，從第一導電貫穿過孔的豎直部分的側壁到第一柵電極的導電墊的面對第一導電貫穿過孔的突出部分的側壁的距離等于或小于從第一導電貫穿過孔的豎直部分的側壁到第二柵電極中的每個的面對第一導電貫穿過孔的側壁的距離。

5.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，絕緣結構包括：

絕緣圖案；以及

間隔件，覆蓋絕緣圖案的下表面和上表面。

6.根據權利要求5所述的垂直存儲器裝置，其中，絕緣圖案包括氧化物，并且間隔件包括氮化物。

7.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括覆蓋柵電極中的每個的下表面和上表面的阻擋圖案，

其中，阻擋圖案不形成在第一柵電極的導電墊的面對第一導電貫穿過孔的側壁上，并且形成在第二柵電極中的每個的面對第一導電貫穿過孔的側壁上。

8.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，其中，柵電極中的每個在平行于基底的上表面的第二方向上延伸，并且

其中，導電墊分別形成在柵電極中的每個的在第二方向上的端部處，并且在第一方向上具有比柵電極中的每個的其它部分的厚度大的厚度。

9.根據權利要求1所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括：

下電路圖案；

絕緣夾層，位于基底上，絕緣夾層覆蓋下電路圖案；以及

共源極板，位于絕緣夾層上，

其中，柵電極形成在共源極板上。

10.根據權利要求9所述的垂直存儲器裝置，其中，第一導電貫穿過孔延伸穿過共源極板與絕緣夾層的上部，并且電連接到下電路圖案。

11.根據權利要求10所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括位于第一導電貫穿過孔與共源極板之間的絕緣圖案，絕緣圖案使第一導電貫穿過孔與共源極板電絕緣并且包括氧化物。

12.根據權利要求9所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括與第一導電貫穿過孔處于同一水平的第二導電貫穿過孔，第二導電貫穿過孔不延伸穿過共源極板和柵電極，并且第二導電貫穿過孔延伸穿過絕緣夾層的上部以電連接到下電路圖案。

13.根據權利要求12所述的垂直存儲器裝置，所述垂直存儲器裝置還包括與第一導電貫穿過孔處于同一水平的第三導電貫穿過孔，第三導電貫穿過孔延伸穿過柵電極、共源極板與絕緣夾層的上部以電連接到下電路圖案。