[發明專利]一種干法刻蝕制備硅基OLED陽極及OLED器件的方法

在審

• 申請號: 202011274620.6
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112103402A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 吳康敬;孫揚;楊震元;李德權;顏艷霜
• 申請（專利權）人: 浙江宏禧科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 金麗英

本發明公開一種OLED陽極的制備方法，先用去離子水清洗硅基板，再在硅基板上形成陽極層，陽極層包括鈦膜層、鎳膜層、鋁膜層、鉑膜層、氮化鈦膜層、氮化鋁膜層中的至少一種導電膜層，然后在陽極層上均勻旋涂0.8微米的堿溶性抗發射涂層和1.5微米的正性光刻膠層，然后對光刻膠層和抗反射涂層進行光刻、顯影獲得像素點的圖形，然后采用刻蝕性氣體轟擊底部不被光刻膠層和抗發射涂層保護的陽極層，再用顯影液去除光刻膠層和抗反射涂層，形成陽極像素點最后對硅基板進行清洗、烘干。采用以上方法制備OLED器件，具有像素點圖形精確化，使像素點間距更小，像素密度高等優點。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其是一種干法刻蝕制備硅基OLED陽極及OLED器件的方法。

背景技術

微型有機發光二極管（OLED）顯示器具有自發光，寬視角，高亮度，高流明效率，低操作電壓，反應時間快等特點，被認為是具有潛力的顯示技術之一且能滿足消費者對顯示技術的新需求并逐漸成為主流方向。有機電致發光器件的全彩化技術主要有白光器件結合彩色濾光片法、RGB像素獨立發光法和下轉換法等，其中以白光為背光，再加上彩色濾光片的方法能有效解決RGB像素金屬蔭罩對準精度問題，是目前業內公認實現全色彩顯示最簡單的方法。

一般白光器件結合彩色濾光片法的陽極像素點制造是由剝離技術（Lift-Off）完成，然而由于在大尺寸基片上使用溶液腐蝕技術，剝離的均勻性取決于溶液的溫度、濃度等，因此會造成在大尺寸基片上像素圖形不均勻，甚至有些金屬無法被剝離。另外，使用剝離技術制備的子像素間距較大，導致微型顯示器達不到更高的分辨率。

發明內容

本發明要解決的技術問題是：使用傳統剝離技術制備的OLED陽極像素圖形不均勻，像素點間距較大等問題。

本發明解決該技術問題采用的技術方案如下。

一種干法刻蝕制備硅基OLED陽極的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，用去離子水清洗硅基板；

步驟二，在所述硅基板上形成金屬膜層，所述金屬膜層包括鈦膜層、鎳膜層、鋁膜層、鉑膜層、氮化鈦膜層、氮化鋁膜層中的至少一種導電膜層；

步驟三，在所述陽極層上均勻旋涂0.8微米的堿溶性抗發射涂層和1.5微米的正性光刻膠層；

步驟四，對所述光刻膠層和所述抗發射涂層進行光刻、顯影獲得像素點的圖形；

步驟五，采用刻蝕性氣體轟擊底部不被所述光刻膠層和所述抗發射涂層保護的所述金屬膜層，再用顯影液去除所述光刻膠層和所述抗發射涂層，形成陽極像素點；

步驟六，對所述硅基板進行清洗、烘干。

作為優選，所述步驟五中，所述刻蝕性氣體為氯氣和三氯化硼的混合氣體，刻蝕過程中采用質譜儀測定法監測刻蝕終點，使用高壓N-甲基吡咯烷酮溶液去除所述光刻膠層和所述抗反射涂層。

作為優選，所述抗發射涂層、所述光刻膠層旋涂均勻性誤差在百分之三以下。

作為優選，所述金屬膜層厚度為60納米。

一種OLED器件的制備方法，其特征在于，包括下述流程：

流程一，采用前述的OLED陽極的制備方法，在硅基板上制備陽極；

流程二，在所述陽極上依次形成空穴功能層、有機發光層、電子功能層、透明陰極層、摻錫氧化銦薄膜層；

流程三，在所述摻錫氧化銦薄膜層上形成密封層；

流程四，在所述密封層上形成RGB色彩過濾層；

流程五，在所述RGB色彩過濾層上形成物理保護層；

流程六，在所述物理保護層上粘貼玻璃蓋片。