[發明專利]一種干法刻蝕制備硅基OLED陽極及OLED器件的方法

在審

• 申請號: 202011274620.6
• 申請日: 2020-11-16
• 公開（公告）號: CN112103402A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 吳康敬;孫揚;楊震元;李德權;顏艷霜
• 申請（專利權）人: 浙江宏禧科技有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100
• 代理人: 金麗英

1.一種干法刻蝕制備硅基OLED陽極的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一，用去離子水清洗硅基板；

步驟二，在所述硅基板上形成金屬膜層，所述金屬膜層包括鈦膜層、鎳膜層、鋁膜層、鉑膜層、氮化鈦膜層、氮化鋁膜層中的至少一種導電膜層；

步驟三，在所述金屬膜層上均勻旋涂0.8微米的堿溶性抗發射涂層和1.5微米的正性光刻膠層；

步驟四，對所述光刻膠層和所述抗反射涂層進行光刻、顯影獲得像素點的圖形；

步驟五，采用刻蝕性氣體轟擊底部不被所述光刻膠層和所述抗發射涂層保護的所述金屬膜層，再用顯影液去除所述光刻膠層和所述抗反射涂層，形成陽極像素點；

步驟六，對所述硅基板進行清洗、烘干。

2.如權利要求1所述的干法刻蝕制備硅基OLED陽極的方法，其特征在于：所述步驟五中，所述刻蝕性氣體為氯氣和三氯化硼的混合氣體，刻蝕過程中采用質譜儀測定法監測刻蝕終點，使用高壓N-甲基吡咯烷酮溶液去除所述光刻膠層和所述抗反射涂層。

3.如權利要求1所述的干法刻蝕制備硅基OLED陽極的方法，其特征在于：所述抗發射涂層、所述光刻膠層旋涂均勻性誤差在百分之三以下。

4.如權利要求1所述的干法刻蝕制備硅基OLED陽極的方法，其特征在于：所述金屬膜層厚度為60納米。

5.一種OLED器件的制備方法，其特征在于，包括下述流程：

流程一，采用權利要求1至3任一所述的OLED陽極的制備方法，在硅基板上制備陽極；

流程二，在所述陽極上依次形成空穴功能層、有機發光層、電子功能層、透明陰極層、摻錫氧化銦薄膜層；

流程三，在所述摻錫氧化銦薄膜層上形成密封層；

流程四，在所述密封層上形成RGB色彩過濾層；

流程五，在所述RGB色彩過濾層上形成物理保護層；

流程六，在所述物理保護層上粘貼玻璃蓋片。

6.如權利要求5所述的OLED器件的制備方法，其特征在于：所述空穴功能層通過真空蒸鍍的方法制備，所述空穴功能層包括33納米空穴注入層、10納米空穴傳輸層、10納米電子阻擋層中的至少一層。

7.如權利要求5所述的OLED器件的制備方法，其特征在于：所述有機發光層采用室溫下具有磷光發射性質有機單分子白光材料形成，所述有機發光層厚度為35納米。

8.如權利要求5所述的OLED器件的制備方法，其特征在于：所述電子功能層通過真空蒸鍍的方法制備，所述電子功能層包括15納米電子傳輸層、10納米電子注入層、10納米空穴阻擋層中的至少一層。

9.如權利要求5所述的OLED器件的制備方法，其特征在于：所述透明陰極層通過真空蒸鍍的方法制備，所述透明陰極層厚度為8至10納米，所述透明陰極層包括鎂、鋁和銀中的至少一種金屬。

10.如權利要求5所述的OLED器件的制備方法，其特征在于：所述摻錫氧化銦薄膜層通過真空蒸鍍的方法制備，采用有機鍍膜機中的濺射系統在所述透明陰極層上沉積30至50納米的摻錫氧化銦薄膜層。

11.如權利要求5所述的OLED器件的制備方法，其特征在于：所述密封層包括有機保護層、氧化鋁隔絕層，所述密封層制備方法為，在有機鍍膜設備真空腔體內使用氮氣、氧氣、氬氣、甲硅烷、氨氣、一氧化二氮、三氟化氮通過化學氣相沉積方式在所述摻錫氧化銦薄膜層表面形成有機保護層，所述有機保護層厚度為200至400納米，在原子層沉積系統內使用三甲基鋁、氧氣通過原子層沉積方式在所述有機保護層表面制備氧化鋁隔絕層，所述氧化鋁隔絕層厚度為180納米。

12.如權利要求5所述的OLED器件的制備方法，其特征在于：所述RGB色彩過濾層的制備方法為，采用不同顏色的彩膠分別進行涂膠、光刻、顯影、定影的流程，所述RGB色彩過濾層厚度為1至1.3微米，最后烘干。