[發明專利]一種工藝腔室漏率檢測方法、半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202011273465.6
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號: CN112484922A
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 方林
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: G01M3/00
• 分類號: G01M3/00;C23C14/54
• 代理公司: 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319
• 代理人: 莎日娜

本申請實施例提供了工藝腔室漏率檢測方法、半導體工藝設備，該方法包括：實時確定工藝腔室是否滿足漏率檢測條件，若是，將工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示需要進行漏率檢測；實時監控工藝腔室的漏率檢測指示參數，在監控到漏率檢測指示參數指示需要進行漏率檢測時，確定是否存在工藝腔室的并行工藝腔室；若是，在工藝腔室不存在晶圓時或者工藝腔室中的晶圓由于針對晶圓的工藝操作完成離開工藝腔室后，將工藝腔室的狀態標識為下線狀態；對所述工藝腔室執行漏率檢測操作，得到檢測結果，并將工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示不需要進行漏率檢測。實現了針對工藝腔室進行漏率檢測時，無需將整個半導體工藝設備停機，避免了產能下降。

技術領域

本申請涉及半導體制造領域，具體涉及一種工藝腔室漏率檢測方法、半導體工藝設備。

背景技術

在IC晶圓的PVD制成工藝中，需要定期例如每天對工藝腔室進行漏率(RateOfRise，簡稱ROR)檢測。

目前，通常采用的方式為將整個半導體工藝設備停機，以使得所有工藝腔室均處于不能進行工藝的下線狀態即offline狀態，導致產能下降。在每一次對任意一個工藝腔室進行漏率檢測時，均需要將整個半導體工藝設備停機。此外，由工程師以人工方式進行相應的操作來觸發針對工藝腔室的ROR檢測，容易出現遺漏檢測的情況。

發明內容

為克服相關技術中存在的問題，本申請提供一種工藝腔室漏率檢測方法、半導體工藝設備。

根據本申請實施例的第一方面，提供一種工藝腔室漏率檢測方法，包括：

實時確定工藝腔室是否滿足漏率檢測條件，若是，將所述工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示需要進行漏率檢測；

實時監控所述工藝腔室的漏率檢測指示參數，在監控到所述漏率檢測指示參數指示需要進行漏率檢測時，確定是否存在所述工藝腔室的并行工藝腔室，其中，所述工藝腔室的并行工藝腔室為與所述工藝腔室的類型相同的、可以執行所述工藝腔室的工藝任務的其他工藝腔室；

若是，在所述工藝腔室不存在晶圓時或者所述工藝腔室中的晶圓由于針對晶圓的工藝操作完成離開所述工藝腔室后，將所述工藝腔室的狀態標識為下線狀態；

對所述工藝腔室執行漏率檢測操作，得到檢測結果，并將所述工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示不需要進行漏率檢測。

根據本申請實施例的第二方面，提供一種半導體工藝設備，包括：

確定單元，被配置為實時確定所述半導體工藝設備的工藝腔室是否滿足漏率檢測條件，若是，將所述工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示需要進行漏率檢測；實時監控所述工藝腔室的漏率檢測指示參數，在監控到所述漏率檢測指示參數指示需要進行漏率檢測時，確定是否存在所述工藝腔室的并行工藝腔室，其中，所述工藝腔室的并行工藝腔室為與所述工藝腔室的類型相同的、可以執行所述工藝腔室的工藝任務的其他工藝腔室；

標識單元，被配置為若存在所述工藝腔室的并行工藝腔室，在所述工藝腔室不存在晶圓時或者所述工藝腔室中的晶圓由于針對晶圓的工藝操作完成離開所述工藝腔室后，將所述工藝腔室的狀態標識為下線狀態；

檢測單元，被配置為對所述工藝腔室執行漏率檢測操作，得到檢測結果，并將所述工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示不需要進行漏率檢測。