[發明專利]一種工藝腔室漏率檢測方法、半導體工藝設備在審
| 申請號: | 202011273465.6 | 申請日: | 2020-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN112484922A | 公開(公告)日: | 2021-03-12 |
| 發明(設計)人: | 方林 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | G01M3/00 | 分類號: | G01M3/00;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京潤澤恒知識產權代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100176 北京市大*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 工藝 腔室漏率 檢測 方法 半導體 工藝設備 | ||
1.一種工藝腔室漏率檢測方法,其特征在于,所述方法包括:
實時確定工藝腔室是否滿足漏率檢測條件,若是,將所述工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示需要進行漏率檢測;
實時監控所述工藝腔室的漏率檢測指示參數,在監控到所述漏率檢測指示參數指示需要進行漏率檢測時,確定是否存在所述工藝腔室的并行工藝腔室,其中,所述工藝腔室的并行工藝腔室為與所述工藝腔室的類型相同的、可以執行所述工藝腔室的工藝任務的其他工藝腔室;
若是,在所述工藝腔室不存在晶圓時或者所述工藝腔室中的晶圓由于針對晶圓的工藝操作完成離開所述工藝腔室后,將所述工藝腔室的狀態標識為下線狀態;
對所述工藝腔室執行漏率檢測操作,得到檢測結果,并將所述工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示不需要進行漏率檢測。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述漏率檢測條件包括以下條件項:當前時刻為所述工藝腔室的檢測時刻、工藝腔室的自動漏率檢測功能處于開啟狀態、所述工藝腔室處于在線狀態。
3.根據權利要求2所述的方法,其特征在于,所述工藝腔室的任意兩個在時序上相鄰的檢測時刻之間的時間間隔均為預設時長。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
若不存在所述工藝腔室的并行工藝腔室,生成報警信息。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
當檢測結果為漏率異常時,生成漏率異常提示信息;
當檢測結果為漏率正常時,將所述工藝腔室的狀態標識為在線狀態。
6.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法還包括:
在解決漏率異常的操作執行完成后,再次對所述工藝腔室進行漏率檢測操作,得到再次檢測結果;
當檢測結果依舊為漏率異常時,再次生成漏率異常提示信息;
當再次檢測結果為漏率正常時,將所述工藝腔室的狀態標識為在線狀態。
7.一種半導體工藝設備,其特征在于,所述設備包括:
確定單元,被配置為實時確定所述半導體工藝設備的工藝腔室是否滿足漏率檢測條件,若是,將所述工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示需要進行漏率檢測;實時監控所述工藝腔室的漏率檢測指示參數,在監控到所述漏率檢測指示參數指示需要進行漏率檢測時,確定是否存在所述工藝腔室的并行工藝腔室,其中,所述工藝腔室的并行工藝腔室為與所述工藝腔室的類型相同的、可以執行所述工藝腔室的工藝任務的其他工藝腔室;
標識單元,被配置為若存在所述工藝腔室的并行工藝腔室,在所述工藝腔室不存在晶圓時或者所述工藝腔室中的晶圓由于針對晶圓的工藝操作完成離開所述工藝腔室后,將所述工藝腔室的狀態標識為下線狀態;
檢測單元,被配置為對所述工藝腔室執行漏率檢測操作,得到檢測結果,并將所述工藝腔室的漏率檢測指示參數設置為指示不需要進行漏率檢測。
8.根據權利要求7所述的設備,其特征在于,漏率檢測條件包括以下條件項:當前時刻為工藝腔室的檢測時刻、工藝腔室的自動漏率檢測功能處于開啟狀態、工藝腔室處于在線狀態。
9.根據權利要求8所述的設備,其特征在于,工藝腔室的任意兩個在時序上相鄰的檢測時刻之間的時間間隔均為預設時長。
10.根據權利要求7所述的設備,其特征在于,所述確定單元還被配置為若不存在工藝腔室的并行工藝腔室,生成報警信息。
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