[發(fā)明專利]一種壓應(yīng)力GOI的制作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011269591.4
• 申請日: 2020-11-13
• 公開（公告）號(hào): CN112563189A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 亨利·H·阿達(dá)姆松;杜勇;王桂磊;孔真真;徐步青
• 申請（專利權(quán)）人: 廣東省大灣區(qū)集成電路與系統(tǒng)應(yīng)用研究院
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762;H01L21/311
• 代理公司: 北京辰權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11619
• 代理人: 金銘

1.一種壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，包括：

步驟a：在第一襯底上形成氧化硅層，然后對所述氧化硅層圖形化刻蝕，形成多個(gè)溝道，并且所述溝道穿透所述氧化硅層；

步驟b：在圖形化的所述氧化硅層表面選擇性外延生長第二鍺層，然后化學(xué)機(jī)械拋光；

步驟c：重復(fù)所述步驟a至b零次或至少一次，然后以最后的鍺層為鍵合界面與第二襯底鍵合，之后刻蝕至僅保留所述第二襯底和所述最后的鍺層，平坦化；其中，所述第二襯底為沉積有埋氧層的硅晶圓，并且所述鍵合時(shí)以埋氧層為鍵合界面；

若所述步驟c中重復(fù)所述步驟a至b零次時(shí)，則在所述步驟a中形成氧化硅層之前還包括：先在第一襯底上沉積第一鍺層，并化學(xué)機(jī)械拋光至第一鍺層呈弛豫狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，所述第一鍺層的沉積方法為全局性外延和選擇性外延。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，所述步驟b中的化學(xué)機(jī)械拋光為：拋光至第二鍺層呈弛豫狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，所述化學(xué)機(jī)械拋光的時(shí)長為9秒以內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，重復(fù)所述步驟a至b的次數(shù)為：重復(fù)至最后的鍺層的缺陷密度不再減小。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，在重復(fù)所述步驟a至b的過程中，每次步驟a形成的溝道與前一次步驟a形成的溝道錯(cuò)縫排列。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，所述步驟a中，所述多個(gè)溝道等間距分布。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，所述埋氧層為氧化硅。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，所述第一襯底為硅晶圓。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓應(yīng)力GOI的制作方法，其特征在于，在第一襯底上形成氧化硅層的方法為PECVD。