[發明專利]一種氧化鎳基陶瓷靶材材料的冷等靜壓成型制備方法在審
| 申請號: | 202011268697.2 | 申請日: | 2020-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN112456971A | 公開(公告)日: | 2021-03-09 |
| 發明(設計)人: | 高明;張虎;張花蕊;楊本潤 | 申請(專利權)人: | 北京航大微納科技有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/01 | 分類號: | C04B35/01;C04B35/645;C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100089 北京市海淀區學*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化 陶瓷 材料 靜壓 成型 制備 方法 | ||
1.一種氧化鎳基陶瓷靶材材料的冷等靜壓制備方法,其特征在于包括以下步驟:
A原料準備:氧化鎳粉體和摻雜源粉體的混合粉體,所述混合粉體中摻雜源元素的總質量分數不高于10%,所述摻雜源元素選自Li、Na、Mg、Al、Si、K、Zn、Zr、Mn、Cu、Cr、V、W、Ti中的一種或幾種元素,且選擇對應元素的質量分數范圍為:Li元素的質量分數0-6%、Na元素的質量分數0-0.3%、Mg元素的質量分數0-1.0%、Al元素的質量分數0-0.1%、Si元素的質量分數0-0.1%、K元素的質量分數0-0.15%、Zn元素的質量分數0-12%、Zr元素的質量分數0-1.5%、Mn元素的質量分數0-1.2%、Cu元素的質量分數0-10%、Cr元素的質量分數0-1.2%、V元素的質量分數0-0.3%、W元素的質量分數0-10%、Ti元素的質量分數0-2.5%;所述氧化鎳粉體和摻雜源粉體均為純度高于99.99%,平均粒徑500nm-2μm,D50粒徑在50nm-800nm;
B噴霧干燥:對混合粉體進行噴霧干燥處理;
C將步驟B制得的混合粉體裝入冷等靜壓模具內,振實達到振實密度2.0-3.0g/cm3;
D將模具送入冷等靜壓腔室內進行壓制,壓強150MPa-250MPa,保壓時間5-30min;
E素坯脫膠:將素坯進行梯度升溫,隨爐冷卻,得到脫膠后的坯料;
F燒結:將坯料進行真空梯度燒結,第一梯度溫度650-800℃,升溫速度不高于1.5℃/min,保溫時間不低于2小時;而后升溫至第二梯度溫度900-1200℃,升溫速度不高于1℃/min,保溫時間不低于5小時;
G保溫結束,冷卻至室溫取出燒坯;
H根據需要進行或不進行機加工。
2.根據權利要求1所述的氧化鎳基陶瓷靶材材料的冷等靜壓制備方法,其特征在于:所述步驟B噴霧干燥包括以下步驟:
(a)將混合粉體加入0.5-5倍體積的用于分散的液體,配置成15%-60%vol的料漿,球磨分散;
(b)向配置好的料漿內加入占料漿總質量0.5-3%的有機粘結劑溶液,溶液的質量分數在1-7wt%;
(c)噴霧干燥,得到帶有粘結劑的二次粉末顆粒;
(d)將所述二次粉末過篩細化。
3.根據權利要求1所述的氧化鎳基陶瓷靶材材料的冷等靜壓制備方法,其特征在于:所述步驟C裝粉環節,振實頻率在5-40Hz。
4.根據權利要求1所述的氧化鎳基陶瓷靶材材料的冷等靜壓制備方法,其特征在于:所述步驟E的梯度升溫工藝為:升溫至第一梯度溫度120-250℃,升溫速度不高于1.5℃/min,保溫時間不低于2小時;而后升溫至第二梯度溫度350-600℃,保溫時間不低于5小時,升溫速度不高于1℃/min。
5.根據權利要求1所述的氧化鎳基陶瓷靶材材料的冷等靜壓制備方法,其特征在于選擇對應元素的質量分數范圍為:Li元素的質量分數0.05-5%、Na元素的質量分數0.05-0.25%、Mg元素的質量分數0.3-0.9%、Al元素的質量分數0.01-0.09%、Si元素的質量分數0.01-0.08%、K元素的質量分數0.03-0.12%、Zn元素的質量分數0.2-10%、Zr元素的質量分數0.3-1.3%、Mn元素的質量分數0.3-1.1%、Cu元素的質量分數0.3-0.8%、Cr元素的質量分數0.3-1.0%、V元素的質量分數0.02-0.25%、W元素的質量分數1.0-9.0%、Ti元素的質量分數0.05-2.3%。
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