[發(fā)明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011265047.2
• 申請(qǐng)日: 2020-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112382638B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王洋;李梁梁;李增榮;陳周煜;余雪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福州京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36
• 代理公司: 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

本文公開(kāi)一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。陣列基板包括：多條柵線和多對(duì)數(shù)據(jù)線，每對(duì)數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，多條柵線和多對(duì)數(shù)據(jù)線交叉限定多個(gè)子像素，多個(gè)子像素中至少一個(gè)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管以及像素電極，第一薄膜晶體管的第一柵極與第二薄膜晶體管的第二柵極均與同一柵線連接，第一薄膜晶體管的第一極與第一數(shù)據(jù)線連接，第二薄膜晶體管的第三極與第二數(shù)據(jù)線連接，第一薄膜晶體管的第二極和第二薄膜晶體管的第四極均與像素電極連接，第一數(shù)據(jù)線設(shè)置為與第一驅(qū)動(dòng)芯片連接，第二數(shù)據(jù)線設(shè)置為與第二驅(qū)動(dòng)芯片連接。本文允許用戶自由選擇或者系統(tǒng)根據(jù)顯示要求切換刷新率，降低顯示裝置的功耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種陣列基板及其制備方法、顯示裝置。

背景技術(shù)

液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)具有機(jī)身薄、省電、無(wú)輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。

隨著液晶顯示裝置向著大尺寸和高分辨率的方向發(fā)展，以銦鎵鋅氧化物(IGZO)為代表的金屬氧化物材料因具備超過(guò)10cm²/(Vs)以上的遷移率，且與現(xiàn)有的非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)技術(shù)兼容性好，近年來(lái)迅速成為顯示領(lǐng)域研發(fā)的重點(diǎn)。顯示裝置的高分辨率和高刷新率也造成顯示功耗較大，對(duì)于手機(jī)等需要充電的顯示裝置，顯示裝置使用時(shí)間縮短，用戶需要頻繁充電來(lái)滿足使用要求。

發(fā)明內(nèi)容

以下是對(duì)本文詳細(xì)描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權(quán)利要求的保護(hù)范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，包括：沿第一方向延伸并沿第二方向間隔設(shè)置的多條柵線和沿第二方向延伸并沿第一方向間隔設(shè)置的多對(duì)數(shù)據(jù)線，每對(duì)數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，多條柵線和多對(duì)數(shù)據(jù)線交叉限定多個(gè)子像素，多個(gè)子像素中至少一個(gè)包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管以及像素電極，第一薄膜晶體管的第一柵極與第二薄膜晶體管的第二柵極均與同一柵線連接，第一薄膜晶體管的第一極與第一數(shù)據(jù)線連接，第二薄膜晶體管的第三極與第二數(shù)據(jù)線連接，第一薄膜晶體管的第二極和第二薄膜晶體管的第四極均與像素電極連接，第一數(shù)據(jù)線設(shè)置為與第一驅(qū)動(dòng)芯片連接，第二數(shù)據(jù)線設(shè)置為與第二驅(qū)動(dòng)芯片連接，像素電極能夠通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)芯片和/或第二驅(qū)動(dòng)芯片充電，其中，第一方向和第二方向相交。

在一些示例性實(shí)施例中，在同一子像素中，像素電極位于與第一極連接的第一數(shù)據(jù)線和與第三極連接的第二數(shù)據(jù)線之間；或者，

在同一子像素中，像素電極位于與第一極連接的第一數(shù)據(jù)線和與第三極連接的第二數(shù)據(jù)線的同一側(cè)。

在一些示例性實(shí)施例中，還包括基板，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管沿著垂直于基板的方向上設(shè)置。

在一些示例性實(shí)施例中，第一柵極和第二柵極為同一柵極。

在一些示例性實(shí)施例中，還包括設(shè)置于基板上的第一有源層、設(shè)置于第一有源層遠(yuǎn)離基板一側(cè)的第一源漏金屬層、設(shè)置于第一源漏金屬層遠(yuǎn)離第一有源層一側(cè)的第一絕緣層、設(shè)置于第一絕緣層遠(yuǎn)離第一有源層一側(cè)的第一透明導(dǎo)電層、設(shè)置于第一透明導(dǎo)電層遠(yuǎn)離第一絕緣層一側(cè)的柵金屬層，第一源漏金屬層包括第一極和第二極以及與第一極連接的第一數(shù)據(jù)線，第一透明導(dǎo)電層包括像素電極和第一子?xùn)艠O以及與第一子?xùn)艠O連接的第一子?xùn)啪€，第一絕緣層上設(shè)置有暴露第二極的第一過(guò)孔，像素電極通過(guò)第一過(guò)孔與第二極連接，柵金屬層包括第二子?xùn)艠O和與第二子?xùn)艠O連接的第二子?xùn)啪€，第一子?xùn)艠O在基板上的正投影與第二子?xùn)艠O在基板上的正投影重合，第一子?xùn)啪€在基板上的正投影與第一子?xùn)啪€在基板上的正投影重合，第一子?xùn)艠O和第二子?xùn)艠O構(gòu)成第一柵極。