[發明專利]陣列基板及其制備方法、顯示裝置

有效

• 申請號: 202011265047.2
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN112382638B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 王洋;李梁梁;李增榮;陳周煜;余雪
• 申請（專利權）人: 福州京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368;G09G3/36
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 解婷婷;曲鵬

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：沿第一方向延伸并沿第二方向間隔設置的多條柵線和沿第二方向延伸并沿第一方向間隔設置的多對數據線，每對所述數據線包括第一數據線和第二數據線，多條所述柵線和多對所述數據線交叉限定多個子像素，所述多個子像素中至少一個包括第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管以及像素電極，所述第一薄膜晶體管的第一柵極與所述第二薄膜晶體管的第二柵極均與同一所述柵線連接，所述第一薄膜晶體管的第一極與所述第一數據線連接，所述第二薄膜晶體管的第三極與所述第二數據線連接，所述第一薄膜晶體管的第二極和所述第二薄膜晶體管的第四極均與所述像素電極連接，所述第一數據線設置為與第一驅動芯片連接，所述第二數據線設置為與第二驅動芯片連接，所述像素電極能夠通過所述第一驅動芯片和/或所述第二驅動芯片充電，其中，第一方向和第二方向相交。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于：在同一所述子像素中，所述像素電極位于與所述第一極連接的所述第一數據線和與第三極連接的所述第二數據線之間；或者，

在同一所述子像素中，所述像素電極位于與所述第一極連接的所述第一數據線和與第三極連接的所述第二數據線的同一側。

3.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于：還包括基板，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管沿著垂直于所述基板的方向設置。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于：所述第一柵極和所述第二柵極為同一柵極。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于：還包括設置于所述基板上的第一有源層、設置于所述第一有源層遠離所述基板一側的第一源漏金屬層、設置于所述第一源漏金屬層遠離所述第一有源層一側的第一絕緣層、設置于所述第一絕緣層遠離所述第一有源層一側的第一透明導電層、設置于所述第一透明導電層遠離所述第一絕緣層一側的柵金屬層，所述第一源漏金屬層包括所述第一極和所述第二極以及與所述第一極連接的所述第一數據線，所述第一透明導電層包括所述像素電極和第一子柵極以及與所述第一子柵極連接的第一子柵線，所述第一絕緣層上設置有暴露所述第二極的第一過孔，所述像素電極通過所述第一過孔與所述第二極連接，所述柵金屬層包括第二子柵極和與所述第二子柵極連接的第二子柵線，所述第一子柵極在所述基板上的正投影與所述第二子柵極在所述基板上的正投影重合，所述第一子柵線在所述基板上的正投影與所述第二子柵線在所述基板上的正投影重合，所述第一子柵極和第二子柵極構成所述第一柵極。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于：還包括設置于所述柵金屬層遠離所述第一透明導電層一側的第二絕緣層和設置于所述第二絕緣層遠離所述柵金屬層一側的第二有源層以及設置于所述第二有源層遠離所述第二絕緣層一側的第二源漏金屬層，所述第二源漏金屬層包括所述第三極和所述第四極以及與所述第三極連接的所述第二數據線，所述第二絕緣層上設置有暴露所述像素電極的第二過孔，所述第二過孔與所述第一過孔位置對應，所述第四極通過所述第二過孔與所述像素電極連接，所述第一子柵極和第二子柵極構成所述第二柵極。

7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于：還包括設置于所述第二源漏金屬層遠離所述第二有源層一側的第三絕緣層和設置于所述第三絕緣層遠離所述第二源漏金屬層一側的公共電極和與所述公共電極連接的公共連接線，所述公共電極與像素電極位置對應。

8.根據權利要求7所述的陣列基板，其特征在于：所述公共連接線包括第一子公共連接線和第二子公共連接線，所述第一子公共連接線在所述基板上的正投影與所述第二子公共連接線在所述基板上的正投影重合，所述第一子公共連接線與所述公共電極同層設置。

9.根據權利要求1或2所述的陣列基板，其特征在于：所述第一薄膜晶體管為IGZO薄膜晶體管，所述第二薄膜晶體管為a-Si薄膜晶體管。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求1-9任一項所述的陣列基板。