[發明專利]半導體封裝件、以及具有半導體封裝件的疊層封裝件

在審

• 申請號: 202011264611.9
• 申請日: 2020-11-12
• 公開（公告）號: CN113345858A
• 公開（公告）日: 2021-09-03
• 發明（設計）人: 任忠彬;金正雨;金知晃;卞貞洙;沈鐘輔;李斗煥;崔敬世;崔正坤;表聲磤
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L23/498;H01L23/522;H01L23/528;H01L25/10;H01L25/16;H01L25/00;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

一種半導體封裝件包括：再分布層，其包括多個再分布絕緣層、構成下布線層的多個再分布線圖案、以及在穿透多個再分布絕緣層中的至少一個再分布絕緣層的同時連接到多個再分布線圖案中的一些再分布線圖案的多個再分布通孔；至少一個半導體芯片，其被布置在再分布層上；擴展層，其圍繞再分布層上的至少一個半導體芯片；以及覆蓋布線層，其包括至少一個基本絕緣層、構成上布線層的多個布線圖案、以及在穿透至少一個基本絕緣層的同時連接到多個布線圖案中的一些布線圖案的多個導電通孔。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年2月18日在韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2020-0019995的優先權，其公開內容通過引用全部合并于此。

背景技術

本發明構思涉及一種半導體封裝件、以及具有該半導體封裝件的疊層封裝件，更具體地，涉及一種扇出型半導體封裝件、以及具有該扇出型半導體封裝件的疊層封裝件。

由于電子工業的快速發展和用戶的需求，電子設備變得越來越小型化、多功能且高容量，因此對高度集成的半導體芯片的需求增加。

因此，已經為高度集成的半導體芯片設想了一種具有確保連接可靠性的連接端子在內的半導體封裝件，其中，增加了用于輸入/輸出(I/O)的連接端子的數量。例如，為了防止連接端子之間的干擾，已經開發了在連接端子之間具有增大的間距的扇出型半導體封裝件。

發明內容

本發明構思提供了適合于電子設備的小型化、多功能和大容量的半導體封裝件、以及具有該半導體封裝件的疊層封裝件。

為了實現上述技術問題，本發明構思提供了以下半導體封裝件、以及具有該半導體封裝件的疊層封裝件。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種半導體封裝件，包括：再分布層，包括多個再分布絕緣層、所述多個再分布絕緣層中的每一個再分布絕緣層的上表面和下表面上的構成下布線層的多個再分布線圖案、以及在穿透所述多個再分布絕緣層中的至少一個再分布絕緣層的同時連接到所述多個再分布線圖案中的一些再分布線圖案的多個再分布通孔；至少一個半導體芯片，布置在所述再分布層上；擴展層，圍繞所述再分布層上的所述至少一個半導體芯片；以及覆蓋布線層，包括至少一個基本絕緣層、所述至少一個基本絕緣層的上表面和下表面上的構成上布線層的多個布線圖案、以及在穿透所述至少一個基本絕緣層的同時連接到所述多個布線圖案中的一些布線圖案的多個導電通孔，其中，所述下布線層的數量大于所述上布線層的數量，并且其中，所述再分布層的第一厚度小于所述覆蓋布線層的第二厚度。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種半導體封裝件，包括：再分布層，包括：多個再分布絕緣層以及再分布導電結構，其中所述多個再分布絕緣層中的每一個再分布絕緣層具有第一厚度，并且所述再分布導電結構包括所述多個再分布絕緣層中的每一個再分布絕緣層的上表面和下表面上的構成下布線層的多個再分布線圖案、以及在穿透所述多個再分布絕緣層中的至少一個再分布絕緣層的同時連接到所述多個再分布線圖案中的一些再分布線圖案的多個再分布通孔，并且所述再分布層具有第二厚度；至少一個半導體芯片，布置在所述再分布層上；擴展層，圍繞所述再分布層上的所述至少一個半導體芯片；以及覆蓋布線層，包括具有第三厚度的至少一個基本絕緣層和布線結構，其中所述布線結構包括所述至少一個基本絕緣層的上表面和下表面上的構成上布線層的多個布線圖案、以及在穿透所述至少一個基本絕緣層的同時連接到所述多個布線圖案中的一些布線圖案的多個導電通孔，并且所述覆蓋布線層具有第四厚度，其中，所述下布線層的數量大于所述上布線層的數量，并且其中，所述第一厚度小于所述第三厚度，并且所述第二厚度小于所述第四厚度。