[發明專利]納米銀線保護層結構及其制備方法在審
| 申請號: | 202011264100.7 | 申請日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN114496352A | 公開(公告)日: | 2022-05-13 |
| 發明(設計)人: | 王業升;方瑋嘉;朱俊鴻;蕭仲欽;林雅婷;陳世清 | 申請(專利權)人: | 天材創新材料科技(廈門)有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14;H01B1/02;G06F3/041;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315 | 代理人: | 南霆;王寧 |
| 地址: | 361100 福建省廈門市火炬*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米 保護層 結構 及其 制備 方法 | ||
本發明公開一種納米銀線保護層結構,包含:基材;納米銀線層,其設置于該基材之上,僅覆蓋該基材表面的部分區域,其中該納米銀線層包含:多個納米銀線通道;以及納米銀線保護層,其設置于該納米銀線層之上,僅覆蓋對應該多個納米銀線通道的區域,且含有抗光氧化劑。一種上述納米銀線保護層結構的制備方法。本發明的納米銀線保護層結構及其制備方法可應用于觸控感測器中。
技術領域
本發明涉及一種納米銀線保護層結構,尤指一種納米銀線保護層僅覆蓋對應該多個納米銀線通道的區域的納米銀線保護層結構。本發明也涉及一種上述納米銀線保護層結構的制備方法。
背景技術
傳統的納米銀線保護層結構及其制備方法如圖1所示。傳統的納米銀線保護層結構10于基材11上設置圖形化的納米銀線(Sliver nanowire,SNW)層12之后,于納米銀線層12上設置的納米銀線保護層13覆蓋基材11上的全部區域。
納米銀保護層主要功能為保護納米銀線層,避免納米銀線層因光氧化而失效,造成其導電度不佳的問題。
然而,傳統的納米銀線保護層結構的納米銀線保護層成分中的抗光氧化劑會吸收藍光與紫光,且納米銀線保護層覆蓋基材上的全部區域,使得傳統的納米銀線保護層結構整體有明顯偏黃的現象。
發明內容
為改善現有技術的納米銀線保護層結構整體明顯偏黃的問題,本發明提供新穎的納米銀線保護層結構及其制備方法。
為達上述目的及其他目的,本發明提供一種納米銀線保護層結構,包含:
基材;
納米銀線層,其設置于該基材之上,僅覆蓋該基材表面的部分區域,其中該納米銀線層包含:
多個納米銀線通道;以及
納米銀線保護層,其設置于該納米銀線層之上,僅覆蓋對應該多個納米銀線通道的區域,且含有抗光氧化劑。
上述的納米銀線保護層結構,其中,該納米銀線保護層的覆蓋面積可占該基材表面的6%至60%。
上述的納米銀線保護層結構,其中,該納米銀線保護層的寬度可介于2μm至1mm之間。
上述的納米銀線保護層結構,其中,該納米銀線保護層的厚度可介于10nm至2000nm之間。
上述的納米銀線保護層結構,其中,該多個納米銀線通道可成波浪狀。
上述的納米銀線保護層結構,其中,該納米銀線層可進一步包含:
多個納米銀線假體,其設置于該多個納米銀線通道之間。
上述的納米銀線保護層結構,其中,可進一步包含:
多個導線,其設置于該納米銀線層與該基材之間。
上述的納米銀線保護層結構,其中,可進一步包含:
覆蓋層,其設置于該納米銀線保護層之上。
上述的納米銀線保護層結構,其中,可進一步包含:
第二納米銀線保護層結構,其設置于該納米銀線保護層結構之下,該第二納米銀線保護層結構包含:
第二基材;
第二納米銀線層,其設置于該第二基材之上,僅覆蓋該第二基材表面的部分區域,其中該第二納米銀線層包含:
多個第二納米銀線通道;
第二納米銀線保護層,其設置于該第二納米銀線層之上,僅覆蓋對應該多個第二納米銀線通道的區域,且含有抗光氧化劑;以及
第二覆蓋層,其設置于該第二納米銀線保護層之上。
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