[發(fā)明專利]納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011264100.7
• 申請(qǐng)日: 2020-11-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114496352A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-05-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王業(yè)升;方瑋嘉;朱俊鴻;蕭仲欽;林雅婷;陳世清
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天材創(chuàng)新材料科技（廈門）有限公司
• 主分類號(hào): H01B5/14
• 分類號(hào): H01B5/14;H01B1/02;G06F3/041;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京國(guó)昊天誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 南霆;王寧

1.一種納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，包含：

基材；

納米銀線層，其設(shè)置于該基材之上，僅覆蓋該基材表面的部分區(qū)域，其中該納米銀線層包含：

多個(gè)納米銀線通道；以及

納米銀線保護(hù)層，其設(shè)置于該納米銀線層之上，僅覆蓋對(duì)應(yīng)該多個(gè)納米銀線通道的區(qū)域，且含有抗光氧化劑。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該納米銀線保護(hù)層的覆蓋面積占該基材表面的6％至60％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該納米銀線保護(hù)層的寬度介于2μm至1mm之間。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該納米銀線保護(hù)層的厚度介于10nm至2000nm之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該多個(gè)納米銀線通道成波浪狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，該納米銀線層進(jìn)一步包含：

多個(gè)納米銀線假體，其設(shè)置于該多個(gè)納米銀線通道之間。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包含：

多個(gè)導(dǎo)線，其設(shè)置于該納米銀線層與該基材之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包含：

覆蓋層，其設(shè)置于該納米銀線保護(hù)層之上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包含：

第二基材，其設(shè)置于該基材之下；

第二納米銀線層，其設(shè)置于該第二基材之上且位于該基材之下，僅覆蓋該第二基材表面的部分區(qū)域，其中該第二納米銀線層包含：

多個(gè)第二納米銀線通道；

第二納米銀線保護(hù)層，其設(shè)置于該第二納米銀線層之上且位于該基材之下，僅覆蓋對(duì)應(yīng)該多個(gè)第二納米銀線通道的區(qū)域，且含有抗光氧化劑；以及

第二覆蓋層，其設(shè)置于該第二納米銀線保護(hù)層之上且位于該基材之下。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包含：

第二納米銀線層，其設(shè)置于該基材之下，僅覆蓋該基材表面的部分區(qū)域，其中該第二納米銀線層包含：

多個(gè)第二納米銀線通道；

第二納米銀線保護(hù)層，其設(shè)置于該第二納米銀線層之下，僅覆蓋對(duì)應(yīng)該多個(gè)第二納米銀線通道的區(qū)域，且含有抗光氧化劑；以及

第二覆蓋層，其設(shè)置于該第二納米銀線保護(hù)層之下。

11.一種納米銀線保護(hù)層結(jié)構(gòu)之制備方法，其特征在于，包含：

提供基材；

于該基材上方設(shè)置納米銀線層，其僅覆蓋該基材表面的部分區(qū)域，其中該納米銀線層包含：

多個(gè)納米銀線通道；以及

于該納米銀線層上方設(shè)置納米銀線保護(hù)層，其僅覆蓋對(duì)應(yīng)該多個(gè)納米銀線通道的區(qū)域，且含有抗光氧化劑。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，該納米銀線保護(hù)層的覆蓋面積占該基材表面的6％至60％。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，該納米銀線保護(hù)層的寬度介于2μm至1mm之間。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，該納米銀線保護(hù)層的厚度介于10nm至2000nm之間。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制備方法，其特征在于，該多個(gè)納米銀線通道成波浪狀。