[發(fā)明專利]集成電路裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011263779.8 | 申請日: | 2020-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN112864145A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 沈香谷;陳英儒;陳憲偉 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/16 | 分類號: | H01L25/16;H01L21/98 |
| 代理公司: | 隆天知識產(chǎn)權代理有限公司 72003 | 代理人: | 聶慧荃;黃艷 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種集成電路裝置。集成電路裝置包括第一裸片與第二裸片。第一、第二裸片各自包括:各自包含第一、第二電路系統(tǒng)的第一、第二基底;各自置于第一、第二基底的上方的第一、第二互連結構;各自置于上述第一互連結構的上方的第一、第二介電層;各自置于第一、第二介電層的上方的第一、第二連接墊。第一裸片的第一連接墊連接于第二裸片的第二連接墊,第一裸片與第二裸片的至少一個包括金屬─絕緣體─金屬電容器,金屬─絕緣體─金屬電容器包括逐一向上方堆疊的超過兩層的金屬層。
技術領域
本發(fā)明實施例涉及集成電路技術,尤其涉及集成電路裝置及其形成方法。
背景技術
半導體集成電路(integrated circuitry;IC)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)歷快速成長。集成電路材料與設計的技術進展,使每一代的集成電路比前一代具有更小且更復雜的電路。在集成電路演進的過程中,功能密度(比如單位芯片面積的內連線裝置數(shù)目)通常隨著幾何尺寸(比如采用的制作工藝所能產(chǎn)生的最小構件(或線))的縮小而增加。
隨著半導體裝置的尺寸持續(xù)縮減,在制造方面的挑戰(zhàn)亦增加。例如,用于在集成電路芯片形成電容器裝置的現(xiàn)有工藝已經(jīng)不夠簡單或不夠便宜。因此雖然現(xiàn)有的半導體制造方法通常符合其預期目的,但無法完全滿足所有方面的需求。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種集成電路裝置,以解決上述至少一個問題。
本發(fā)明的一實施例是關于一種集成電路裝置,其包括一第一裸片與一第二裸片。上述第一裸片包括一第一基底、一第一互連結構、一第一介電層及多個第一連接墊。上述第一基底包含第一電路系統(tǒng),上述第一互連結構置于上述第一基底的上方,上述第一介電層置于上述第一互連結構的上方,上述第一連接墊置于上述第一介電層的上方。上述第二裸片包括一第二基底、一第二互連結構、一第二介電層及多個第二連接墊。上述第二基底包含第二電路系統(tǒng),上述第二互連結構置于上述第二基底的上方,上述第二介電層置于上述第二互連結構的上方,上述第二連接墊置于上述第二介電層的上方。上述第一裸片的上述第一連接墊連接于上述第二裸片的上述第二連接墊,上述第一裸片與上述第二裸片的至少一個包括一金屬─絕緣體─金屬電容器,上述金屬─絕緣體─金屬電容器包括逐一向上方堆疊的超過兩層的金屬層。
另一實施例是關于一種集成電路裝置,其包括一第一裸片、一第二裸片與一電容器。上述第一裸片與上述第二裸片經(jīng)由多個連接墊而連接在一起,上述電容器嵌于上述第一裸片與上述第二裸片的至少一個。上述電容器包括超過二個金屬層,上述金屬層的一第一子集是電性且物理性連接于一第一導體構件,上述金屬層的一第二子集是電性且物理性連接于一第二導體構件,上述第二導體構件不同于上述第一導體構件。
又另一實施例是關于一種集成電路裝置的形成方法,其包括:提供一第一裸片,上述第一裸片包括一第一基底與一第一互連結構,上述第一互連結構形成在上述第一基底的上方;在上述第一互連結構形成一第一介電層;在上述第一介電層的上方形成一或多個第一連接墊;提供一第二裸片,上述第二裸片包括一第二基底與一第二互連結構,上述第二互連結構形成在上述第二基底的上方;在上述第二互連結構形成一第二介電層;在上述第二介電層的上方形成一或多個第二連接墊;以及將上述一或多個第一連接墊連接于上述一或多個第二連接墊。上述第一裸片與上述第二裸片的至少一個包括嵌于其中的一金屬─絕緣體─金屬電容器。
附圖說明
根據(jù)以下的詳細說明并配合所附附圖做完整公開。應注意的是,根據(jù)本產(chǎn)業(yè)的一般作業(yè),圖示并未必按照比例繪制。事實上,可能任意的放大或縮小元件的尺寸,以做清楚的說明。
圖1是一集成電路裝置(或其一部分)的一剖面?zhèn)纫晥D,根據(jù)本發(fā)明實施例的各種面向,在各種制造階段所建構。
圖2是一集成電路裝置(或其一部分)的一剖面?zhèn)纫晥D,根據(jù)本發(fā)明實施例的各種面向,在各種制造階段所建構。
圖3是一集成電路裝置(或其一部分)的一剖面?zhèn)纫晥D,根據(jù)本發(fā)明實施例的各種面向,在各種制造階段所建構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內的類型的器件,例如構成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





